Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.159

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SISS22DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
300.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS22DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 72,5А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISS22LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
211.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS22LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 74А; Idm: 150А; 42Вт" 1.

0.0
SISS26DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
306.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS26DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

0.0
SISS26LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
229.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS26LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 65А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

0.0
SISS28DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
208.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS28DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

0.0
SISS30ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
229.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

0.0
SISS30DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
205.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

0.0
SISS30LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
229.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 44А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

0.0
SISS32ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
202.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А" 1.

0.0
SISS32DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
230.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISS32LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
233.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISS40DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
119.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 29А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

0.0
SISS42DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
298.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS42DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 32,4А; Idm: 80А" 1.

0.0
SISS42LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
246.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А" 1.

0.0
SISS46DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
279.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

0.0
SISS50DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
168.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS50DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 86А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

0.0
SISS5108DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
200.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS5108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 55,9А; Idm: 120А" 6000.

0.0
SISS54DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
276.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS54DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 148,5А; Idm: 300А" 1.

0.0
SISS5808DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
162.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS5808DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 66,6А; Idm: 150А" 6000.

0.0
SISS588DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
259.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS588DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 46,5А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISS60DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
245.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS60DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 145,4А" 1.

0.0
SISS64DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
200.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS64DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

0.0
SISS66DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
246.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS66DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 142,6А" 1.

0.0
SISS70DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,3нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
246.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS70DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 125В; 24,8А; Idm: 50А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж