Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 264

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB30N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 76А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
836.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
1 073.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
958.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора134нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
870.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
388.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
224.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
493.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
217.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
316.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
305.81 
Доступность: 371 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHD14N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
402.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
417.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD186N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
175.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
397.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD240N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 30А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
198.78 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,6нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
233.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
154.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
261.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD5N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж