Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
FQT4N25TF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,66А; Idm: 3,3А; 2,5Вт; SOT223
0.0
FQT4N25TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
‍184‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQT4N25TF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,66А; Idm: 3,3А; 2,5Вт; SOT223" 1.

FQT7N10LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,36А; 2Вт; SOT223
0.0
FQT7N10LTF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
‍156‍ ₽
Доступность: 4705 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQT7N10LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,36А; 2Вт; SOT223" 1.

G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
0.0
G2R1000MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...20В
1 070 ₽
Доступность: 188 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт
0.0
G3R160MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 258 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
0.0
G3R30MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 990 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт
0.0
G3R350MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
‍747‍ ₽
Доступность: 728 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
0.0
G3R450MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 039 ₽
Доступность: 841 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

HUF75639S3ST, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK
0.0
HUF75639S3ST
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍513‍ ₽
Доступность: 756 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "HUF75639S3ST, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK" 1.

IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт
0.0
IAUA200N04S5N010
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
‍345‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт" 1.

IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт
0.0
IAUS165N08S5N029
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPG-HSOG-8 МонтажSMD
‍611‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт" 1.

IAUT300N08S5N012ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8
0.0
IAUT300N08S5N012
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
‍842‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IAUT300N08S5N012ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8" 1.

IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А
0.0
IGOT60R070D1AUMA1
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC КорпусPG-DSO-20
4 879 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А
0.0
IGT60R190D1SATMA1
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,2нC КорпусPG-HSOF-8-3
1 209 ₽
Доступность: 3 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А" 1.

IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB010N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
1 467 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB014N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍667‍ ₽
Доступность: 48 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB015N04LG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍562‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB015N04NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍883‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB015N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍896‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB017N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍640‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB017N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍825‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB017N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
1 036 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB019N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍513‍ ₽
Доступность: 939 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB024N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍587‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB025N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍829‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB025N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍951‍ ₽
Доступность: 376 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB026N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍384‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB027N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍681‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB029N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍396‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB030N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍705‍ ₽
Доступность: 997 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB031N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍553‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB031NE7N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
‍436‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB036N12N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
‍978‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB037N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB037N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍263‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB037N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB038N12N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
1 022 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB039N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB039N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍452‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB039N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB042N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB042N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍396‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB042N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB048N15N5LF
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
1 445 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB049N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍433‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB049NE7N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
‍314‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB054N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍312‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 40 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)