Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD70R360P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
‍151‍ ₽
Доступность: 1545 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD70R900P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
‍49‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD78CN10NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍140‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD80R1K4CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
‍239‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R1K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍151‍ ₽
Доступность: 2450 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍509‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R2K0P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍166‍ ₽
Доступность: 1464 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍160‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍382‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R3K3P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍106‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍153‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍274‍ ₽
Доступность: 2480 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А
0.0
IPD90N04S404
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
‍219‍ ₽
Доступность: 2320 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А" 1.

IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А
0.0
IPD90N04S405ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
‍149‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А" 1.

IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD90R1K2C3ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
‍275‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD90R1K2C3BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
‍221‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD
0.0
IPD95R450P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC КорпусDPAK
‍479‍ ₽
Доступность: 1476 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А
0.0
IPDD60R050G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 224 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А
0.0
IPDD60R080G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 177 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А
0.0
IPDD60R102G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
‍868‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А
0.0
IPDD60R125G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
‍667‍ ₽
Доступность: 47 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А" 1.

IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А
0.0
IPDD60R150G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
‍569‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А" 1.

IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А
0.0
IPDD60R190G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
‍509‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

IPL60R065P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 32А; 201Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R065P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
1 088 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R065P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 32А; 201Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R075CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 189Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R075CFD7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора67нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 542 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R075CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 189Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R085P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 154Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R085P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
‍866‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R085P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 154Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R104C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R104C7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора42нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍822‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R104C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R105P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 137Вт; PG-VSON-4; ESD
0.0
IPL60R105P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора45нC КорпусPG-VSON-4
‍618‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R105P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 137Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

IPL60R125P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 17А; 111Вт; PG-VSON-4; ESD
0.0
IPL60R125P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC КорпусPG-VSON-4
‍487‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R125P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 17А; 111Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

IPL60R180P6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 22,4А; 176Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R180P6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍664‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R180P6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 22,4А; 176Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R185CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 85Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R185CFD7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍469‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R185CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 85Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R199CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16,4А; 139Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R199CPAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍654‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R199CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16,4А; 139Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R1K5C6SATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍140‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R210P6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19,2А; 151Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R210P6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍552‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R210P6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19,2А; 151Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R285P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 59Вт; PG-VSON-4; ESD
0.0
IPL60R285P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусPG-VSON-4
‍277‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R285P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 59Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

IPL60R299CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11,1А; 96Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R299CPAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍492‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R299CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11,1А; 96Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R2K1C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; 21,6Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R2K1C6SATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍136‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R2K1C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; 21,6Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL60R365P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 46Вт; PG-VSON-4; ESD
0.0
IPL60R365P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
‍209‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R365P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 46Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

IPL60R385CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R385CPAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍387‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R385CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-VSON-4" 1.

Показать еще 40 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)