Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 99

Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
261.98 
Доступность: 2478 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
238.77 
Доступность: 2259 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
159.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
266.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
217.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC КорпусDPAK
355.54 
Доступность: 1310 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 269.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 062.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
853.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
513.47 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
620.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
499.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
922.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R065P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 32А; 201Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора67нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 514.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R075CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 189Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
824.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R085P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 154Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора42нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
824.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R104C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора45нC КорпусPG-VSON-4
706.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R105P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 137Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC КорпусPG-VSON-4
577.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R125P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 17А; 111Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
562.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R180P6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 22,4А; 176Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
461.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R185CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 85Вт; PG-VSON-4" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж