Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 97

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
131.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
573.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R170CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 76Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
479.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 51Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
306.14 
Доступность: 1825 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
192.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280P7S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
230.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
161.68 
Доступность: 2154 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора20,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
118.26 
Доступность: 2169 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R650CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
142.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R1K4CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
464.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R250E6XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
281.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
355.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
285.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток700В
55.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R400CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 9,5А; Idm: 30А; 118Вт; PG-TO252" 2500.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
301.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
301.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
220.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
220.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
220.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
373.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж