Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 196

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50N10S3L16ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 38А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
326.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R399CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
326.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R399CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18,7нC КорпусDPAK МонтажSMD
103.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R500CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 24А; 57Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
270.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R520CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
270.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R520CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD5N25S3430ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 250В; 4А; Idm: 20А; 41Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 18А; Idm: 100А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
598.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R170CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 76Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R1K0PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 3А; Idm: 8,8А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R1K5PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 2,2А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R210PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 10А; Idm: 42А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
501.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 51Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
353.21 
Доступность: 1855 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
201.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280P7S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 7А; Idm: 31А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R2K0C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,5А; Idm: 6А; 22,3Вт; PG-TO252" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R2K0PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 1,9А; Idm: 4,5А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж