Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 382

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC Код производителяSI2308BDS-T1-GE3 КорпусSOT23
117.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяSI2308CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
74.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2308CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI2312BDS-T1-E3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2312BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 5А; Idm: 15А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI2312BDS-T1-GE3 КорпусSOT23
80.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,8нC Код производителяSI2312CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
121.81 
Доступность: 4776 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2312CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI2314EDS-T1-E3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2314EDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,9А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI2314EDS-T1-GE3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2314EDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,9А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC Код производителяSI2316BDS-T1-E3 КорпусSOT23
108.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC Код производителяSI2316BDS-T1-GE3 КорпусSOT23
149.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC Код производителяSI2316DS-T1-E3 КорпусSOT23
144.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,3А; 0,45Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяSI2316DS-T1-GE3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,4А; Idm: 16А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC Код производителяSI2318CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
98.81 
Доступность: 3278 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSI2318DS-T1-E3 КорпусSOT23
84.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSI2318DS-T1-GE3 КорпусSOT23
68.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяSI2324DS-T1-GE3 КорпусSOT23
91.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2324DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяSI2328DS-T1-E3 КорпусSOT23
252.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,5А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC Код производителяSI2328DS-T1-GE3 КорпусSOT23
196.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,92А; 0,47Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,7нC Код производителяSI2336DS-T1-GE3 КорпусSOT23
114.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2336DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSI2338DS-T1-BE3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2338DS-T1-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSI2338DS-T1-GE3 КорпусSOT23
138.84 
Доступность: 2729 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2338DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж