Товары из категории транзисторы - страница 450

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
171.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS5808DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 66,6А; Idm: 150А" 6000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
299.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS588DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 46,5А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
324.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS60DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 145,4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора231нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
235.65 
Доступность: 5708 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS61DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -89,6А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора236нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
243.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS63DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -102А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
219.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS64DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
203.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS65DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; 75,2А; Idm: -120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
324.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS66DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 142,6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
258.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS67DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,3нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
302.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS70DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 125В; 24,8А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
250.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS72DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 20,4А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
280.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS73DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; полевой; -150В; -12,9А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
225.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS76LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 54А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
296.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS78LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 53,3А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
370.85 
Доступность: 5904 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS80DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
256.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS92DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 250В; 9,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
225.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS94DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 15,6А; Idm: 25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
257.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS98DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 11,2А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
67.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD401ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -500мА; Idm: -1А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
60.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD402ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 1А; Idm: 1,4А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж