Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории полупроводники - страница 1923

Категории
Полупроводники
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
Симисторы
+3Еще
Oптоэлектроника
Автоматика
Автомобильная аудиосистема
Вентиляторы, сис. охлаждения и нагрева
Источники звука
Источники света
Источники энергии
Компьютерные аксессуары
Корпуса
Механические элементы
Неклассифицированные
Оборудование мастерских
Пассивные элементы
Переключатели и индикаторы
Пневматика и гидравлика
Предохранители и защитные устройства
Провода и кабели
Разъeмы
Реле и контакторы
Робототехника и макетирование
Системы Embedded и IoT
Трансформаторы и сердечники
Без категории
Кабельные наконечники
Фильтры товаров
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23
0.0
LGE2312-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяLGE2312 КорпусSOT23 МонтажSMD
20.44 ₽
Доступность: 2080 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23" 10.

LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт
0.0
LGE3M14120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора230нC Код производителяLGE3M14120Q КорпусTO247-4
13 848.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт" 1.

LGE3M160120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт
0.0
LGE3M160120B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC Код производителяLGE3M160120B КорпусTO247-3
1 930.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт" 1.

LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт
0.0
LGE3M160120E
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяLGE3M160120E КорпусD2PAK
1 806.64 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт" 1.

LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт
0.0
LGE3M160120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC Код производителяLGE3M160120Q КорпусTO247-4
1 930.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт" 1.

LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт
0.0
LGE3M18120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора235нC Код производителяLGE3M18120Q КорпусTO247-4
5 865.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт" 1.

LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт
0.0
LGE3M1K170B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21,8нC Код производителяLGE3M1K170B КорпусTO247-3
1 004.26 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт" 1.

LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4
0.0
LGE3M20120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора254нC Код производителяLGE3M20120Q КорпусTO247-4
5 321.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4" 1.

LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт
0.0
LGE3M25120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяLGE3M25120Q КорпусTO247-4
4 928.45 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт" 1.

LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт
0.0
LGE3M28065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора163нC Код производителяLGE3M28065Q КорпусTO247-4
4 628.62 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт" 1.

LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт
0.0
LGE3M30065B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора147нC Код производителяLGE3M30065B КорпусTO247-3
4 366.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт" 1.

LGE3M30065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт
0.0
LGE3M30065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяLGE3M30065Q КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 497.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M30065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт" 1.

LGE3M35065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт
0.0
LGE3M35065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC Код производителяLGE3M35065Q КорпусTO247-4
4 085.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M35065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт" 1.

LGE3M35120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт
0.0
LGE3M35120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора148нC Код производителяLGE3M35120Q КорпусTO247-4
4 516.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M35120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт" 1.

LGE3M40065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт
0.0
LGE3M40065B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора110,8нC Код производителяLGE3M40065B КорпусTO247-3
3 710.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M40065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт" 1.

LGE3M40065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт
0.0
LGE3M40065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора110,8нC Код производителяLGE3M40065Q КорпусTO247-4
3 710.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M40065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт" 1.

LGE3M40120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 117А; 300Вт
0.0
LGE3M40120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора145нC Код производителяLGE3M40120Q КорпусTO247-4
3 991.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M40120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 117А; 300Вт" 1.

LGE3M45170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт
0.0
LGE3M45170B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяLGE3M45170B КорпусTO247-3
12 649.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M45170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

LGE3M45170Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт
0.0
LGE3M45170Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяLGE3M45170Q КорпусTO247-4
12 349.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M45170Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

LGE3M50120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 327Вт
0.0
LGE3M50120B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC Код производителяLGE3M50120B КорпусTO247-3
3 204.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M50120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 327Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж