Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 132

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
190.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD9N25TM-F080, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусSOT223 МонтажSMD
188.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT13N06LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,24А; Idm: 11,2А; 2,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSOT223 МонтажSMD
220.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT13N06TF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,24А; Idm: 11,2А; 2,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSOT223 МонтажSMD
152.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT1N60CTF-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,12А; 2,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT1N80TF-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 0,12А; 2,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT223 МонтажSMD
144.50 
Доступность: 3238 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQT4N20LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,68А; 2,2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
190.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT4N25TF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,66А; Idm: 3,3А; 2,5Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
162.08 
Доступность: 3690 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQT7N10LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,36А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...20В
1 059.63 
Доступность: 185 шт.
 

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G2R1000MT33J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 4А; Idm: 8А; 74Вт; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение сток-исток3,3кВ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G2R120MT33J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 128Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 237.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 952.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
740.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 170.49 
Доступность: 841 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора6,2нC КорпусDFN8080-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN080-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 29А; Idm: 58А; 240Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,5нC КорпусDFN8080-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN140-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж