Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 140

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB065N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 130А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
360.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
1 003.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора49нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
678.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
194.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
263.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
1 342.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
320.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
337.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора130нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
402.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора170нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
768.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 327.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 157.49 
Доступность: 689 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
619.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
2 051.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 094.80 
Доступность: 907 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
511.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
318.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB144N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 56А; 107Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж