Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.164

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI2302CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
79.84 
Доступность: 2001 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2302DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
55.34 
Доступность: 2387 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2302DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2304BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
46.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23" 3.

0.0
SI2304DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
75.10 
Доступность: 1706 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2304DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2306BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
78.26 
Доступность: 2012 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2306BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 0,8Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2308BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
98.02 
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,3А; Idm: 8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2308BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
98.81 
Доступность: 94 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2308CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
59.29 
Доступность: 8789 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2308CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2312BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
67.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23" 3.

0.0
SI2312CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
86.96 
Доступность: 5079 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2312CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2316BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
91.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

0.0
SI2316BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
126.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

0.0
SI2316DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
122.53 
Доступность: 979 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2316DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,3А; 0,45Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2318CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
73.52 
Доступность: 1673 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2318DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
64.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт" 3.

0.0
SI2318DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
56.13 
Доступность: 986 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23" 3.

0.0
SI2324DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
60.87 
Доступность: 11138 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2324DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2328DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
142.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,5А; Idm: 6А" 1.

0.0
SI2328DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
126.48 
Доступность: 2764 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,92А; 0,47Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2336DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
53.75 
Доступность: 3873 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2336DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж