Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
IXTY01N100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO252
0.0
IXTY01N100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение сток-исток1кВ
‍358‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY01N100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO252" 1.

IXTY01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO252; 2нс
0.0
IXTY01N100D
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности2нс Заряд затвора0,1мкC КорпусTO252
‍701‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO252; 2нс" 1.

IXTY02N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO252; 1,6мкс
0.0
IXTY02N120P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,6мкс КорпусTO252 МонтажSMD
‍348‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY02N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO252; 1,6мкс" 1.

IXTY02N50D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 200мА; Idm: 800мА; 25Вт; TO252
0.0
IXTY02N50D
Вид каналаобедненный Время готовности1мкс КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍411‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY02N50D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 200мА; Idm: 800мА; 25Вт; TO252" 1.

IXTY08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO252
0.0
IXTY08N100D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Заряд затвора325нC КорпусTO252 МонтажSMD
‍677‍ ₽
Доступность: 210 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO252" 1.

IXTY08N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 42Вт; TO252; 750нс
0.0
IXTY08N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO252 МонтажSMD
‍722‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY08N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 42Вт; TO252; 750нс" 1.

IXTY08N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,8А; 60Вт; TO252; 11нс
0.0
IXTY08N50D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности11нс Заряд затвора312нC КорпусTO252
‍480‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY08N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,8А; 60Вт; TO252; 11нс" 1.

IXTY14N60X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK
0.0
IXTY14N60X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора16,7нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍846‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY14N60X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK" 1.

IXTY1N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1А; 50Вт; TO252; 750нс
0.0
IXTY1N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO252 МонтажSMD
‍345‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY1N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1А; 50Вт; TO252; 750нс" 1.

IXTY1N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO252; 900нс
0.0
IXTY1N120P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс КорпусTO252 МонтажSMD
‍397‍ ₽
Доступность: 77 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY1N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO252; 900нс" 1.

IXTY1N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 42Вт; TO252; 700нс
0.0
IXTY1N80P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности700нс Заряд затвора9нC КорпусTO252
‍250‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY1N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 42Вт; TO252; 700нс" 350.

IXTY1R4N100P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт
0.0
IXTY1R4N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс Заряд затвора17,8нC КорпусTO252
‍441‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N100P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт" 1.

IXTY1R4N120P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт
0.0
IXTY1R4N120P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора24,8нC КорпусTO252
‍900‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N120P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт" 1.

IXTY1R4N120PHV, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт
0.0
IXTY1R4N120PHV
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора24,8нC КорпусTO252HV
‍584‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N120PHV, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт" 1.

IXTY1R6N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO252; 11нс
0.0
IXTY1R6N100D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности11нс Заряд затвора645нC КорпусTO252
‍745‍ ₽
Доступность: 23 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY1R6N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO252; 11нс" 1.

IXTY1R6N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс
0.0
IXTY1R6N50D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора23,7нC КорпусTO252
‍569‍ ₽
Доступность: 348 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY1R6N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс" 1.

IXTY2N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 2А; 86Вт; TO252; 800нс
0.0
IXTY2N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности800нс КорпусTO252 МонтажSMD
‍610‍ ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY2N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 2А; 86Вт; TO252; 800нс" 1.

IXTY2N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 2А; 55Вт; TO252
0.0
IXTY2N65X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности137нс Заряд затвора4,3нC КорпусTO252
‍458‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY2N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 2А; 55Вт; TO252" 1.

IXTY3N50P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
0.0
IXTY3N50P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора9,3нC КорпусTO252
‍59‍ ₽
Доступность: 104 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY3N50P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс" 1.

IXTY44N10T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 44А; 130Вт; TO252; 60нс
0.0
IXTY44N10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности60нс КорпусTO252 МонтажSMD
‍460‍ ₽
Доступность: 288 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY44N10T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 44А; 130Вт; TO252; 60нс" 1.

IXTY4N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 4А; 80Вт; TO252
0.0
IXTY4N65X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности160нс Заряд затвора8,3нC КорпусTO252
‍479‍ ₽
Доступность: 6 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY4N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 4А; 80Вт; TO252" 1.

IXTY8N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 8А; 150Вт; TO252
0.0
IXTY8N65X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC КорпусTO252
‍360‍ ₽
Доступность: 30 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY8N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 8А; 150Вт; TO252" 1.

IXTY8N70X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 8А; 150Вт; TO252; 200нс
0.0
IXTY8N70X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC КорпусTO252
‍604‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTY8N70X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 8А; 150Вт; TO252; 200нс" 1.

LGE2300, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23
0.0
LGE2300-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍8‍ ₽
Доступность: 14480 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "LGE2300, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23" 20.

LGE2302, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,35Вт; SOT23
0.0
LGE2302-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍9‍ ₽
Доступность: 2540 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "LGE2302, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,35Вт; SOT23" 20.

LGE2304, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 0,35Вт; SOT23
0.0
LGE2304-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍8‍ ₽
Доступность: 6529 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "LGE2304, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 0,35Вт; SOT23" 20.

LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23
0.0
LGE2312-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
‍19‍ ₽
Доступность: 40 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23" 10.

LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт
0.0
LGE3M160120E
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 637 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт" 1.

LGE3M80120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7
0.0
LGE3M80120J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 139 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "LGE3M80120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7" 1.

LND01K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5
0.0
LND01K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-5 МонтажSMD Напряжение сток-исток9В
‍123‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "LND01K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5" 1.

LND150K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт
0.0
LND150K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍183‍ ₽
Доступность: 2330 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "LND150K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт" 1.

LND150N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 1,6Вт
0.0
LND150N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍141‍ ₽
Доступность: 75 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "LND150N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 1,6Вт" 1.

LND250K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт; SOT23-3
0.0
LND250K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍109‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "LND250K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт; SOT23-3" 3.

LSIC1MO120T0080-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; TO263-7
0.0
LSIC1MO120T0080-TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора95нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
4 336 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0080-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; TO263-7" 1.

LSIC1MO120T0120-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; TO263-7
0.0
LSIC1MO120T0120-TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 059 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0120-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; TO263-7" 1.

LSIC1MO120T0160-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 22А; TO263-7
0.0
LSIC1MO120T0160-TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора57нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 071 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0160-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 22А; TO263-7" 1.

MCB20P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B
0.0
MCB20P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
15 199 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MCB20P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B" 1.

MCB30P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B
0.0
MCB30P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
39 110 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MCB30P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B" 1.

MCB40P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B
0.0
MCB40P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
60 214 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MCB40P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B" 1.

MCB60I1200TZ-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; TO268AAHV
0.0
MCB60I1200TZ-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160C КорпусTO268AAHV МонтажSMD
29 236 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MCB60I1200TZ-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; TO268AAHV" 1.

Показать еще 40 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)