Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.27

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIR403EDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
79.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR403EDP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А" 3000.

0.0
SIR681DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
248.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR681DP-T1-RE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -71,9А; Idm: -125А" 3000.

0.0
SIR871DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
215.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR871DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -48А; Idm: -300А" 3000.

0.0
SIRA01DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора112нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
229.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA01DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А" 1.

0.0
SIRA99DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
409.30 
Доступность: 2435 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA99DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -156А; Idm: -400А" 1.

0.0
SIS407DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
187.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт" 1.

0.0
SIS413DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
115.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS413DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А" 1.

0.0
SIS415DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
131.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS415DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

0.0
SIS427EDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
145.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS427EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -44,3А; Idm: -110А" 1.

0.0
SIS429DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
80.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS429DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20А; Idm: -50А" 1.

0.0
SIS435DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
88.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS435DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -30А; Idm: -80А" 1.

0.0
SIS443DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
252.71 
Доступность: 409 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS443DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

0.0
SIS447DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора181нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
109.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS447DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18А; Idm: -100А" 1.

0.0
SIS903DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
196.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS903DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -40А" 1.

0.0
SISA01DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
162.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA01DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А" 1.

0.0
SISA35DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
75.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA35DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -50А" 1.

0.0
SISH101DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
141.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

0.0
SISH129DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
167.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH129DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

0.0
SISH407DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
160.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А" 1.

0.0
SISH615ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
109.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

0.0
SISH617DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
173.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

0.0
SISH625DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
123.26 
Доступность: 5096 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISH625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

0.0
SISS05DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
164.34 
Доступность: 2495 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS05DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт" 1.

0.0
SISS23DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора300нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
143.41 
Доступность: 8437 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт" 1.

0.0
SISS27ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
159.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS27ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

0.0
SISS27DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
125.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS27DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

0.0
SISS61DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора231нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
182.17 
Доступность: 5708 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS61DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -89,6А; Idm: -200А" 1.

0.0
SISS63DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора236нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
186.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS63DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -102А; Idm: -200А" 1.

0.0
SISS65DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
154.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS65DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; 75,2А; Idm: -120А" 1.

0.0
SISS67DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
193.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS67DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 1.

0.0
SISS73DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
252.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS73DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; полевой; -150В; -12,9А; Idm: -30А" 1.

0.0
SIUD401ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
54.26 
Доступность: 5900 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIUD401ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -500мА; Idm: -1А" 1.

0.0
SIUD403ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
24.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD403ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -500мА; Idm: -0,8А" 1.

0.0
SMMBFJ175LT1G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ175LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
109.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ175LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

0.0
SMMBFJ177LT1G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ177LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
56.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ177LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

0.0
SPB18P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
176.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
SPB80P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
629.46 
Доступность: 414 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
SPD04P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
87.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD04P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
183.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD08P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
79.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж