INFINEON TECHNOLOGIES

0.0
IPL60R385CPAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
360.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL60R385CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R650P6SATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
229.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL60R650P6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,7А; 56,8Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R070C7AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
1 636.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R070C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 28А; 169Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R099C7AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
871.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R099C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 21А; 128Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R190E6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
556.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R190E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,2А; 151Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R195C7AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
466.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R195C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12А; 75Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R1K5C6SATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
210.28 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPL65R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R210CFDAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
575.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R210CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,6А; 151Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R230C7AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
411.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R230C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; 67Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R310E6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
426.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R310E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,1А; 104Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R340CFDAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
426.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R340CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,9А; 104,2Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R420E6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
360.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R420E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,1А; 83Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R460CFDAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
354.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R460CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,3А; 83,3Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL65R660E6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
257.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPL65R660E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; 63Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPN50R2K0CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
63.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPN50R2K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,3А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

0.0
IPN50R800CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,4нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
96.44 
Доступность: 2896 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPN50R800CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

0.0
IPN50R950CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.03 
Доступность: 2299 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPN50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223" 3.

0.0
IPN60R2K1CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,7нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
106.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

0.0
IPN60R600P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

0.0
IPN70R1K0CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора15,2нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
270.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки