Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.104

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
IXTT6N120
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности850нс Заряд затвора56нC КорпусTO268
2 199.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT6N120, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 6А; 300Вт; TO268; 850нс" 1.

0.0
IXTT6N150
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,5мкс Заряд затвора67нC КорпусTO268
1 892.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT6N150, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,5кВ; 6А; 540Вт; TO268; 1,5мкс" 1.

0.0
IXTT74N20P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности160нс Заряд затвора107нC КорпусTO268
1 106.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT74N20P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 200В; 74А; 480Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT75N10L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности180нс Заряд затвора215нC КорпусTO268
2 178.66 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTT75N10L2, Транзистор: N-MOSFET; Linear L2™; полевой; 100В; 75А; 400Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT80N20L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности250нс Заряд затвора180нC КорпусTO268
2 855.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT80N20L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 80А; 520Вт; TO268; 250нс" 1.

0.0
IXTT82N25P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора142нC КорпусTO268
1 095.65 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTT82N25P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 250В; 82А; 500Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT88N30P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности250нс Заряд затвора180нC КорпусTO268
2 080.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT88N30P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 300В; 88А; 600Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT96N15P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности150нс Заряд затвора110нC КорпусTO268
1 630.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT96N15P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 150В; 96А; 480Вт; TO268" 1.

0.0
IXTY01N100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение сток-исток1кВ
333.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY01N100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY01N100D
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности2нс Заряд затвора0,1мкC КорпусTO252
652.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO252; 2нс" 1.

0.0
IXTY02N120P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,6мкс КорпусTO252 МонтажSMD
324.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY02N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO252; 1,6мкс" 1.

0.0
IXTY02N50D
Вид каналаобедненный Время готовности1мкс КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
382.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY02N50D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 200мА; Idm: 800мА; 25Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY08N100D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Заряд затвора325нC КорпусTO252 МонтажSMD
630.83 
Доступность: 210 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY08N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO252 МонтажSMD
671.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY08N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 42Вт; TO252; 750нс" 1.

0.0
IXTY08N50D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности11нс Заряд затвора312нC КорпусTO252
447.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY08N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,8А; 60Вт; TO252; 11нс" 1.

0.0
IXTY14N60X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора16,7нC КорпусDPAK МонтажSMD
787.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY14N60X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK" 1.

0.0
IXTY1N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO252 МонтажSMD
320.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1А; 50Вт; TO252; 750нс" 1.

0.0
IXTY1N120P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс КорпусTO252 МонтажSMD
369.96 
Доступность: 77 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO252; 900нс" 1.

0.0
IXTY1N80P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности700нс Заряд затвора9нC КорпусTO252
232.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 42Вт; TO252; 700нс" 350.

0.0
IXTY1R4N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс Заряд затвора17,8нC КорпусTO252
411.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N100P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт" 1.

0.0
IXTY1R4N120P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора24,8нC КорпусTO252
837.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N120P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт" 1.

0.0
IXTY1R4N120PHV
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора24,8нC КорпусTO252HV
543.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N120PHV, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт" 1.

0.0
IXTY1R6N100D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности11нс Заряд затвора645нC КорпусTO252
694.07 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R6N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO252; 11нс" 1.

0.0
IXTY1R6N50D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора23,7нC КорпусTO252
529.64 
Доступность: 348 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R6N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж