Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
PSMNR90-50SLHAX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 302А; Idm: 1711А; 375Вт
0.0
PSMNR90-50SLHAX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора383нC КорпусLFPAK88, SOT1235 МонтажSMD
‍667‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSMNR90-50SLHAX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 302А; Idm: 1711А; 375Вт" 1.

PXN010-30QLJ, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
PXN010-30QLJ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяPXN010-30QLJ Полярностьполевой
‍59‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PXN010-30QLJ, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

QS5U12TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт
0.0
QS5U12TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC КорпусTSOT25
‍109‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS5U12TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт" 1.

QS5U13TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт
0.0
QS5U13TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9нC КорпусTSOT25
‍82‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS5U13TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт" 1.

QS5U16TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; ESD
0.0
QS5U16TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC КорпусTSOT25
‍140‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS5U16TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; ESD" 1.

QS5U17TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт
0.0
QS5U17TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC КорпусTSOT25
‍133‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS5U17TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт" 1.

QS5U34TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD
0.0
QS5U34TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусTSOT25
‍129‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS5U34TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD" 1.

R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252
0.0
R6002END3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
‍210‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252" 1.

R6004END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 8А; 59Вт; TO252
0.0
R6004END3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусTO252 МонтажSMD
‍249‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "R6004END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 8А; 59Вт; TO252" 1.

R6007ENJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; D2PAK
0.0
R6007ENJTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍370‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "R6007ENJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; D2PAK" 1.

R6007JNJGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 21А; 96Вт; D2PAK
0.0
R6007JNJGTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,5нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍431‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "R6007JNJGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 21А; 96Вт; D2PAK" 1.

R6009JNJGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 125Вт; D2PAK
0.0
R6009JNJGTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍418‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "R6009JNJGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 125Вт; D2PAK" 1.

R6009KNJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 94Вт; D2PAK
0.0
R6009KNJTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍316‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "R6009KNJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 94Вт; D2PAK" 1.

R6504KNJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 12А; 58Вт; D2PAK
0.0
R6504KNJTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍363‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "R6504KNJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 12А; 58Вт; D2PAK" 1.

RCJ120N20TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12А; Idm: 48А; 52Вт; D2PAK
0.0
RCJ120N20TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍246‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RCJ120N20TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12А; Idm: 48А; 52Вт; D2PAK" 1.

RCJ160N20TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 16А; Idm: 64А; 85Вт; D2PAK
0.0
RCJ160N20TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍278‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RCJ160N20TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 16А; Idm: 64А; 85Вт; D2PAK" 1.

RCJ200N20TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 20А; Idm: 80А; 106Вт; D2PAK
0.0
RCJ200N20TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍385‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RCJ200N20TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 20А; Idm: 80А; 106Вт; D2PAK" 1.

RCJ220N25TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 22А; Idm: 88А; 166Вт; D2PAK
0.0
RCJ220N25TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍477‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RCJ220N25TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 22А; Idm: 88А; 166Вт; D2PAK" 1.

RCJ330N25TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 33А; Idm: 132А; 211Вт; D2PAK
0.0
RCJ330N25TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍261‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RCJ330N25TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 33А; Idm: 132А; 211Вт; D2PAK" 1.

RD3G400GNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 80А; 26Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3G400GNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍126‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3G400GNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 80А; 26Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3L050SNFRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5А; Idm: 15А; 15Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3L050SNFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍221‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3L050SNFRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5А; Idm: 15А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3L050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5А; Idm: 15А; 15Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3L050SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍237‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3L050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5А; Idm: 15А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3L080SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 16А; 15Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3L080SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,4нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍213‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3L080SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 16А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3L150SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 15А; Idm: 30А; 20Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3L150SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍260‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3L150SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 15А; Idm: 30А; 20Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3P050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5А; Idm: 20А; 15Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3P050SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍186‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3P050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5А; Idm: 20А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3P100SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3P100SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍239‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3P100SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3P175SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,5А; Idm: 35А; 20Вт
0.0
RD3P175SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍271‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3P175SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,5А; Idm: 35А; 20Вт" 1.

RD3T075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; SOT416F
0.0
RD3T075CNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT416F МонтажSMD
‍287‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3T075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; SOT416F" 1.

RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт
0.0
RE1C001UNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍49‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
0.0
RE1C002UNTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD
‍34‍ ₽
Доступность: 4194 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89" 1.

RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
0.0
RE1J002YNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍53‍ ₽
Доступность: 528 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F
0.0
RE1L002SNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍46‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F" 1.

RF4E080BNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E080BNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
‍115‍ ₽
Доступность: 2954 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RF4E080BNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E080GNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
‍112‍ ₽
Доступность: 2990 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E100AJTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
‍104‍ ₽
Доступность: 2890 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4E110GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E110GNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
‍71‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RF4E110GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF6E045AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1Вт; SOT363T
0.0
RF6E045AJTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,1нC КорпусSOT363T МонтажSMD
‍99‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RF6E045AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1Вт; SOT363T" 1.

RFD12N06RLESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK
0.0
RFD12N06RLESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍192‍ ₽
Доступность: 1440 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RFD12N06RLESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK" 1.

RFD14N05LSM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
0.0
RFD14N05LSM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍154‍ ₽
Доступность: 243 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RFD14N05LSM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

RFD14N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
0.0
RFD14N05LSM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍153‍ ₽
Доступность: 1596 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RFD14N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

RFD14N05SM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
0.0
RFD14N05SM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍87‍ ₽
Доступность: 7743 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RFD14N05SM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

RFD16N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 16А; 60Вт; DPAK
0.0
RFD16N05LSM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍205‍ ₽
Доступность: 2231 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RFD16N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 16А; 60Вт; DPAK" 1.

RFD16N06LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
0.0
RFD16N06LESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍263‍ ₽
Доступность: 137 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RFD16N06LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; 90Вт; DPAK" 1.

RFD3055LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11А; 38Вт; DPAK
0.0
RFD3055LESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,3нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍104‍ ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RFD3055LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11А; 38Вт; DPAK" 1.

RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3
0.0
RHK003N06FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSMT3 МонтажSMD
‍87‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3" 1.

RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
‍63‍ ₽
Доступность: 755 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 3.

RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
‍151‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP030N03T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
‍170‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3" 1.

RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3
0.0
RHU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусUMT3 МонтажSMD
‍71‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3
0.0
RHU003N03FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍39‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3" 1.

RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3
0.0
RJK005N03FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSMT3 МонтажSMD
‍68‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3" 1.

RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RJP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
‍157‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RJP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
‍137‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3
0.0
RJU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍50‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD
0.0
RJU003N03FRAT106
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
‍51‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD" 1.

RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3
0.0
RK7002AT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSST3 МонтажSMD
‍16‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3" 10.

RK7002BMHZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт; SST3
0.0
RK7002BMHZGT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍34‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RK7002BMHZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт; SST3" 1.

RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт; ESD
0.0
RK7002BMT116
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
‍25‍ ₽
Доступность: 2905 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт; ESD" 1.

RQ1C075UNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1C075UNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍149‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ1C075UNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1E075XNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1E075XNTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍136‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ1E075XNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8
0.0
RQ3E070BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍100‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8" 1.

RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8
0.0
RQ3E080BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍86‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8
0.0
RQ3E080GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍106‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8
0.0
RQ3E100BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍82‍ ₽
Доступность: 926 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3E110AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8
0.0
RQ3E110AJTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍151‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E110AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3E120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8
0.0
RQ3E120GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍86‍ ₽
Доступность: 2761 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3E130BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8
0.0
RQ3E130BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍121‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E130BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8" 1.

RQ3E150BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8
0.0
RQ3E150BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍149‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E150BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8" 1.

RQ3E150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8
0.0
RQ3E150GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,3нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍110‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8" 1.

RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8
0.0
RQ3E160ADTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍97‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8" 1.

RQ3E180AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8
0.0
RQ3E180AJTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍138‍ ₽
Доступность: 1196 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E180AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8" 1.

RQ3E180BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3E180BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍101‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E180BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8" 1.

RQ3E180GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3E180GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,4нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍115‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E180GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8" 1.

RQ3G100GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 27А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8
0.0
RQ3G100GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍110‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3G100GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 27А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3G150GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,1нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍244‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8" 1.

RQ3L050GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8
0.0
RQ3L050GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍159‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3L050GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8" 1.

RQ5E025TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5E025TNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
‍112‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ5E025TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5E030AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5E030AJTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
‍85‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ5E030AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5E035BNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5E035BNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
‍64‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ5E035BNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5E040AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5E040AJTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
‍98‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ5E040AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 1Вт; TSMT3" 1.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)