Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 191

Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
511.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
318.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB144N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 56А; 107Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...20В Напряжение сток-исток40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB160N04S4LH1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 160А; Idm: 640А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора173нC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
509.94 
Доступность: 990 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
422.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
1 247.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
602.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток300В
1 143.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
270.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R140CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,1А; 25Вт; PG-TO263-3" 1000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
521.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
467.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
431.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
211.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
591.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC КорпусD2PAK МонтажSMD
768.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC КорпусD2PAK МонтажSMD
711.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
1 100.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж