Товары из категории транзисторы униполярные - страница 417

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
22.94 
Доступность: 15 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2305, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
18.35 
Доступность: 3920 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора230нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
12 429.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 732.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 621.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 732.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора235нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 264.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21,8нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
901.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора254нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 776.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 423.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора163нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 154.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора147нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 918.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...20В
4 036.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M30065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 666.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M35065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора148нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 053.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M35120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора110,8нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 330.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M40065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора110,8нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 330.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M40065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора145нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 582.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M40120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 117А; 300Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
11 353.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M45170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
11 084.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M45170Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж