Товары от производителя INFINEON TECHNOLOGIES - страница 44

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
372.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R385CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
236.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R650P6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,7А; 56,8Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
1 212.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R070C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 28А; 169Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
905.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R099C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 21А; 128Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
575.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R190E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,2А; 151Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
527.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R195C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12А; 75Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
217.90 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPL65R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
595.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R210CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,6А; 151Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
466.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R230C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; 67Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
442.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R310E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,1А; 104Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
442.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R340CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,9А; 104,2Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
372.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R420E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,1А; 83Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
366.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R460CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,3А; 83,3Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
266.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R660E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; 63Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
67.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN50R2K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,3А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,4нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
99.78 
Доступность: 2896 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN50R800CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
66.76 
Доступность: 1999 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,7нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
114.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
158.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора15,2нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
279.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки