Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 245

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
65.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
84.10 
Доступность: 2362 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2312CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2314EDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,9А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2314EDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,9А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
88.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
122.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
118.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,3А; 0,45Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,4А; Idm: 16А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.10 
Доступность: 4673 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
61.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
54.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
58.87 
Доступность: 9203 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2324DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,5А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
122.32 
Доступность: 2759 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,92А; 0,47Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
51.99 
Доступность: 2683 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2336DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2338DS-T1-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
89.45 
Доступность: 2834 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2338DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
81.04 
Доступность: 560 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2342DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 8В; 6А; Idm: 30А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
58.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2356DS-T1-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 4,3А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
58.87 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2356DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 4,3А; Idm: 20А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж