Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
SIRA06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
0.0
SIRA06DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍166‍ ₽
Доступность: 1975 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

SIRA10BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт
0.0
SIRA10BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,2нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍177‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA10BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт" 1.

SIRA10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 140А; 26Вт
0.0
SIRA10DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍151‍ ₽
Доступность: 2960 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 140А; 26Вт" 1.

SIRA12BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 59А; Idm: 150А; 24Вт
0.0
SIRA12BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍152‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA12BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 59А; Idm: 150А; 24Вт" 1.

SIRA12DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 20Вт
0.0
SIRA12DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍115‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA12DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 20Вт" 1.

SIRA14BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 52А; Idm: 130А; 23Вт
0.0
SIRA14BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍81‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA14BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 52А; Idm: 130А; 23Вт" 1.

SIRA14DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 46А; Idm: 130А; 20Вт
0.0
SIRA14DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍136‍ ₽
Доступность: 1916 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA14DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 46А; Idm: 130А; 20Вт" 1.

SIRA18ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А
0.0
SIRA18ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍84‍ ₽
Доступность: 2844 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA18ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А" 1.

SIRA18BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт
0.0
SIRA18BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍92‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA18BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

SIRA18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 26,3А; Idm: 70А
0.0
SIRA18DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 26,3А; Idm: 70А" 1.

SIRA20BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 268А; Idm: 350А
0.0
SIRA20BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора186нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍316‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA20BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 268А; Idm: 350А" 1.

SIRA20DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А
0.0
SIRA20DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора200нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍273‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA20DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 1.

SIRA24DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 40Вт
0.0
SIRA24DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍177‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA24DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 40Вт" 1.

SIRA28BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 90А; 11Вт
0.0
SIRA28BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍74‍ ₽
Доступность: 2992 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA28BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

SIRA32DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 148А; Idm: 500А
0.0
SIRA32DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍202‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA32DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 148А; Idm: 500А" 1.

SIRA36DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 250А
0.0
SIRA36DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍165‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA36DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 250А" 1.

SIRA50ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 175А; Idm: 400А
0.0
SIRA50ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍290‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA50ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 175А; Idm: 400А" 1.

SIRA50DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А
0.0
SIRA50DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора194нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍317‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA50DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 1.

SIRA52ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 105А; Idm: 200А
0.0
SIRA52ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍250‍ ₽
Доступность: 2985 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA52ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 105А; Idm: 200А" 1.

SIRA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А
0.0
SIRA52DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍316‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

SIRA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А
0.0
SIRA54DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍168‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

SIRA58ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А
0.0
SIRA58ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍226‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA58ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

SIRA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А
0.0
SIRA58DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍188‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

SIRA60DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А
0.0
SIRA60DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍258‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA60DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

SIRA62DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт
0.0
SIRA62DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍261‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA62DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

SIRA64DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А
0.0
SIRA64DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍207‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA64DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 1.

SIRA72DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А
0.0
SIRA72DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍226‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA72DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

SIRA74DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 64,2А; Idm: 150А
0.0
SIRA74DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍207‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA74DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 64,2А; Idm: 150А" 1.

SIRA80DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 268А; Idm: 500А
0.0
SIRA80DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍273‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA80DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 268А; Idm: 500А" 1.

SIRA84BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 56А; Idm: 150А; 23Вт
0.0
SIRA84BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍94‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA84BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 56А; Idm: 150А; 23Вт" 1.

SIRA84DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 57,8А; Idm: 130А
0.0
SIRA84DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍104‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA84DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 57,8А; Idm: 130А" 1.

SIRA88BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт
0.0
SIRA88BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍95‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA88BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

SIRA88DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 36,4А; Idm: 100А
0.0
SIRA88DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍72‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA88DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 36,4А; Idm: 100А" 1.

SIRA90DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А
0.0
SIRA90DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍306‍ ₽
Доступность: 2417 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA90DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

SIRA90DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А
0.0
SIRA90DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍299‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA90DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

SIRA96DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А
0.0
SIRA96DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍99‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA96DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А" 1.

SIRC06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
0.0
SIRC06DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍183‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRC06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

SIRC10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
0.0
SIRC10DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍213‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRC10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

SIRC16DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А
0.0
SIRC16DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍260‍ ₽
Доступность: 2953 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIRC16DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А" 1.

SIRC18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
0.0
SIRC18DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍255‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRC18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

SIRS700DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 102А; Idm: 350А
0.0
SIRS700DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍813‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRS700DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 102А; Idm: 350А" 1.

SIS106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А; 15Вт
0.0
SIS106DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍202‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А; 15Вт" 1.

SIS108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 14,7А; Idm: 30А
0.0
SIS108DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍184‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 14,7А; Idm: 30А" 1.

SIS110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 11,4А; Idm: 20А
0.0
SIS110DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍132‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 11,4А; Idm: 20А" 1.

SIS126DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 36,1А; Idm: 100А
0.0
SIS126DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍190‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS126DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 36,1А; Idm: 100А" 1.

SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А
0.0
SIS128LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍200‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А" 1.

SIS176LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 33,8А; Idm: 100А
0.0
SIS176LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍192‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS176LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 33,8А; Idm: 100А" 1.

SIS178LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 36,2А; Idm: 100А
0.0
SIS178LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍171‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS178LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

SIS184DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 52,2А; Idm: 100А
0.0
SIS184DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍260‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS184DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 52,2А; Idm: 100А" 1.

SIS322DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А
0.0
SIS322DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍128‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS322DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

SIS402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт
0.0
SIS402DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍353‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

SIS406DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12,2А; Idm: 50А
0.0
SIS406DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍116‍ ₽
Доступность: 2982 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIS406DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12,2А; Idm: 50А" 1.

SIS410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт
0.0
SIS410DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍204‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

SIS412DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
0.0
SIS412DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍115‍ ₽
Доступность: 2916 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIS412DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

SIS434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 17,6А; Idm: 60А; 33Вт
0.0
SIS434DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍196‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 17,6А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

SIS438DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16А; Idm: 32А
0.0
SIS438DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍161‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS438DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16А; Idm: 32А" 1.

SIS444DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт
0.0
SIS444DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS444DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

SIS454DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 100А; 33Вт
0.0
SIS454DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍205‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS454DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 100А; 33Вт" 1.

SIS4604LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 36,7А; Idm: 100А
0.0
SIS4604LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍185‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS4604LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 36,7А; Idm: 100А" 1.

SIS4608LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 28,9А; Idm: 100А
0.0
SIS4608LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍184‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS4608LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 28,9А; Idm: 100А" 1.

SIS468DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 29,2А; Idm: 60А
0.0
SIS468DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍276‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS468DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 29,2А; Idm: 60А" 1.

SIS472ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А; 18Вт
0.0
SIS472ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍92‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS472ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А; 18Вт" 1.

SIS472BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А
0.0
SIS472BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍123‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS472BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

SIS472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт
0.0
SIS472DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍112‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт" 1.

SIS476DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт
0.0
SIS476DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍220‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS476DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

SIS488DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А; 33Вт
0.0
SIS488DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍196‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS488DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А; 33Вт" 1.

SIS606BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 28,2А; Idm: 80А
0.0
SIS606BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍253‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS606BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 28,2А; Idm: 80А" 1.

SIS698DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,5А; Idm: 10А
0.0
SIS698DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍148‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS698DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,5А; Idm: 10А" 1.

SIS780DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 18А
0.0
SIS780DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍126‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS780DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 18А" 1.

SIS822DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
0.0
SIS822DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍76‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS822DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

SIS862ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 41,6А; Idm: 100А
0.0
SIS862ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍123‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS862ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 41,6А; Idm: 100А" 1.

SIS862DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 40А; Idm: 100А; 52Вт
0.0
SIS862DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍205‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS862DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 40А; Idm: 100А; 52Вт" 1.

SIS888DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 16А; Idm: 50А; 33Вт
0.0
SIS888DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍280‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS888DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 16А; Idm: 50А; 33Вт" 1.

SIS890ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,8А; Idm: 40А
0.0
SIS890ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍189‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS890ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,8А; Idm: 40А" 1.

SIS892ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28А; 52Вт; PowerPAK® 1212-8
0.0
SIS892ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍201‍ ₽
Доступность: 2884 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIS892ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28А; 52Вт; PowerPAK® 1212-8" 1.

SIS892DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 27А; Idm: 50А; 43Вт
0.0
SIS892DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍212‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS892DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 27А; Idm: 50А; 43Вт" 1.

SISA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт
0.0
SISA04DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍214‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

SISA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт
0.0
SISA10DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍194‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт" 1.

SISA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт
0.0
SISA12ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍166‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт" 1.

SISA14BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 58А; Idm: 130А; 29Вт
0.0
SISA14BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍132‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA14BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 58А; Idm: 130А; 29Вт" 1.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)