Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.80

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
IPD90R1K2C3BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
205.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD95R450P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC КорпусDPAK
445.85 
Доступность: 1459 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

0.0
IPDD60R050G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 139.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

0.0
IPDD60R080G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 095.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

0.0
IPDD60R102G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
807.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

0.0
IPDD60R125G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
621.34 
Доступность: 47 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А" 1.

0.0
IPDD60R150G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
529.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А" 1.

0.0
IPDD60R190G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
474.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

0.0
IPL60R065P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
1 013.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R065P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 32А; 201Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R075CFD7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора67нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 435.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R075CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 189Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R085P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
806.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R085P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 154Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R104C7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора42нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
765.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R104C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R105P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора45нC КорпусPG-VSON-4
575.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R105P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 137Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

0.0
IPL60R125P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC КорпусPG-VSON-4
453.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R125P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 17А; 111Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

0.0
IPL60R180P6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
618.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R180P6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 22,4А; 176Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R185CFD7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
436.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R185CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 85Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R199CPAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
608.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R199CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16,4А; 139Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R1K5C6SATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
130.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R210P6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
513.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R210P6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19,2А; 151Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R285P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусPG-VSON-4
257.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R285P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 59Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

0.0
IPL60R299CPAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
458.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R299CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11,1А; 96Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R2K1C6SATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
126.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R2K1C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; 21,6Вт; PG-VSON-4" 1.

0.0
IPL60R365P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
194.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R365P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 46Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

0.0
IPL60R385CPAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
360.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R385CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-VSON-4" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж