Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом P SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
SI2323DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
0.0
SI2323DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍73‍ ₽
Доступность: 205 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 3.

SI2323DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
0.0
SI2323DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍167‍ ₽
Доступность: 63 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

SI2325DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт
0.0
SI2325DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍240‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт" 1.

SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2325DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍250‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23" 1.

SI2329DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2329DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍117‍ ₽
Доступность: 2535 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2329DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2333-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,1Вт
0.0
SI2333-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍39‍ ₽
Доступность: 8792 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2333-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,1Вт" 1.

SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А
0.0
SI2333CDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍110‍ ₽
Доступность: 1385 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А" 1.

SI2333CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,7А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2333CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍131‍ ₽
Доступность: 2595 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,7А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2333DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍103‍ ₽
Доступность: 199 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А
0.0
SI2333DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍144‍ ₽
Доступность: 2324 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

SI2333DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А
0.0
SI2333DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍147‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

SI2337DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -2,2А; Idm: -7А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2337DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍167‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2337DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -2,2А; Idm: -7А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2337DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,75А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2337DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍207‍ ₽
Доступность: 1961 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2337DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,75А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2343CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,9А; Idm: -25А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2343CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍110‍ ₽
Доступность: 1602 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2343CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,9А; Idm: -25А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2343DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А
0.0
SI2343DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2343DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А" 1.

SI2347DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2347DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍65‍ ₽
Доступность: 2856 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2347DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2365EDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,9А; Idm: -20А
0.0
SI2365EDS-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍65‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2365EDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,9А; Idm: -20А" 1.

SI2365EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2365EDS-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23
‍60‍ ₽
Доступность: 1870 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2365EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2367DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2367DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍103‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2367DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2369BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А
0.0
SI2369BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍92‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2369BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2369DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍86‍ ₽
Доступность: 2121 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2371EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2371EDS-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSOT23
‍70‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2371EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2377EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23; ESD
0.0
SI2377EDS-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,6нC КорпусSOT23
‍109‍ ₽
Доступность: 1850 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2377EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23; ESD" 1.

SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А
0.0
SI2387DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍85‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А" 1.

SI2393DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А
0.0
SI2393DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍86‍ ₽
Доступность: 594 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2393DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

SI2399DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2399DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍77‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2399DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI3127DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -20А
0.0
SI3127DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍95‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3127DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -20А" 1.

SI3401A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,2А; Idm: -30А; 1,3Вт
0.0
SI3401A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍61‍ ₽
Доступность: 3103 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3401A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,2А; Idm: -30А; 1,3Вт" 1.

SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6
0.0
SI3407DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍66‍ ₽
Доступность: 2631 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

SI3417DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А
0.0
SI3417DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍107‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3417DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А
0.0
SI3421DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍115‍ ₽
Доступность: 2812 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А
0.0
SI3433CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍82‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

SI3437DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,4А; Idm: -5А
0.0
SI3437DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍159‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3437DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,4А; Idm: -5А" 1.

SI3443BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; 1,3Вт; TSOP6
0.0
SI3443BDV-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍55‍ ₽
Доступность: 1349 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3443BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; 1,3Вт; TSOP6" 3.

SI3443CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; 2,05Вт; TSOP6
0.0
SI3443CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,53нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍80‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3443CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; 2,05Вт; TSOP6" 1.

SI3443DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1,7Вт; TSOP6
0.0
SI3443DDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍74‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3443DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1,7Вт; TSOP6" 1.

SI3457CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6
0.0
SI3457CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍125‍ ₽
Доступность: 1062 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3457CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6" 1.

SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А
0.0
SI3459BDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍98‍ ₽
Доступность: 298 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

SI3473CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А
0.0
SI3473CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Доступность: 2940 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3473CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А" 1.

SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6
0.0
SI3483CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍100‍ ₽
Доступность: 2064 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

Показать еще 40 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)