Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 235

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
77.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
95.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
74.16 
Доступность: 126 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
136.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E110AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
77.22 
Доступность: 2740 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
108.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E130BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
134.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E150BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,3нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
98.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
87.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
124.62 
Доступность: 1177 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
90.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,4нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
103.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
98.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3G100GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 27А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,1нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
220.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
142.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3L050GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,5нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3L090GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 30А; Idm: 36А; 20Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3P300BHTB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 40А; 32Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
100.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E025TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
76.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E030AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
57.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E035BNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж