Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
RXH090N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8
0.0
RXH090N03TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍246‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RXH090N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

RXH125N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8
0.0
RXH125N03TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,7нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍211‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RXH125N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3
0.0
RYC002N05T316
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍64‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3" 1.

RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; VMT3
0.0
RYM002N05T2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍66‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; VMT3" 1.

S1M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт
0.0
S1M1000170J-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора10нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
‍545‍ ₽
Доступность: 10 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "S1M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт" 1.

S1M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт
0.0
S1M1000170JTR-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
‍545‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "S1M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт" 1.

S2M0080120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт; TOLL
0.0
S2M0080120T-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусTOLL МонтажSMD
‍581‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "S2M0080120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт; TOLL" 1.

S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт
0.0
S2M0120120J-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора29,6нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
‍959‍ ₽
Доступность: 48 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт
0.0
S2M0120120JTR-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,6нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 119 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

S2M0120120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт; TOLL
0.0
S2M0120120T-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,6нC КорпусTOLL МонтажSMD
‍633‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "S2M0120120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт; TOLL" 1.

S2M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт
0.0
S2M0160120J-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора26,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
‍888‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "S2M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт" 1.

S2M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт
0.0
S2M0160120JTR-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 036 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "S2M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт" 1.

S2M0160120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 40А; 121Вт; TOLL
0.0
S2M0160120T-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусTOLL МонтажSMD
‍547‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "S2M0160120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 40А; 121Вт; TOLL" 1.

S3M0016120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 75А; Idm: 250А; 576Вт
0.0
S3M0016120B-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора287нC КорпусT2PAK МонтажSMD
2 037 ₽
Доступность: 9 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "S3M0016120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 75А; Idm: 250А; 576Вт" 1.

S3M0025120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 200А; 394Вт
0.0
S3M0025120B-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора175нC КорпусT2PAK МонтажSMD
2 479 ₽
Доступность: 30 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "S3M0025120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 200А; 394Вт" 1.

S3M0025120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 200А; 517Вт
0.0
S3M0025120T-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC КорпусTOLL МонтажSMD
1 316 ₽
Доступность: 20 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "S3M0025120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 200А; 517Вт" 1.

S3M0040120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
0.0
S3M0040120B-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора143нC КорпусT2PAK МонтажSMD
‍937‍ ₽
Доступность: 35 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "S3M0040120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт" 1.

S3M0040120J-A, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 223А; 600Вт
0.0
S3M0040120JA-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора143нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 255 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "S3M0040120J-A, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 223А; 600Вт" 1.

S3M0040120J-A, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 223А; 600Вт
0.0
S3M0040120JATR-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора143нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 255 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "S3M0040120J-A, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 223А; 600Вт" 1.

S3M0040120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
0.0
S3M0040120T-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора143нC КорпусTOLL МонтажSMD
‍888‍ ₽
Доступность: 6 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "S3M0040120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт" 1.

SCT012H90G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT012H90G3AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT012H90G3AG Полярностьполевой
11 132 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT012H90G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT018H65G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT018H65G3AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT018H65G3AG Полярностьполевой
4 377 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT018H65G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT040H120G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT040H120G3AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT040H120G3AG Полярностьполевой
3 947 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT040H120G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT040H65G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT040H65G3AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT040H65G3AG Полярностьполевой
2 148 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT040H65G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT040HU65G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT040HU65G3AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT040HU65G3AG Полярностьполевой
2 548 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT040HU65G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT055HU65G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT055HU65G3AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT055HU65G3AG Полярностьполевой
2 284 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT055HU65G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT060HU75G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT060HU75G3AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT060HU75G3AG Полярностьполевой
2 195 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT060HU75G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT070H120G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT070H120G3AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT070H120G3AG Полярностьполевой
2 285 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT070H120G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT070HU120G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT070HU120G3AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT070HU120G3AG Полярностьполевой
2 484 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT070HU120G3AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT10N120H, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT10N120H
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT10N120H Полярностьполевой
1 749 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT10N120H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT20N120H, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT20N120H
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT20N120H Полярностьполевой
3 416 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT20N120H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCT30N120H, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCT30N120H
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCT30N120H Полярностьполевой
5 557 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCT30N120H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCTH100N65G2-7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCTH100N65G2-7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTH100N65G2-7AG Полярностьполевой
8 188 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCTH100N65G2-7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCTH35N65G2V-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCTH35N65G2V-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTH35N65G2V-7 Полярностьполевой
3 299 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCTH35N65G2V-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCTH35N65G2V-7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCTH35N65G2V-7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTH35N65G2V-7AG Полярностьполевой
3 514 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCTH35N65G2V-7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCTH40N120G2V-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCTH40N120G2V-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTH40N120G2V-7 Полярностьполевой
4 261 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCTH40N120G2V-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCTH40N120G2V7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCTH40N120G2V7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTH40N120G2V7AG Полярностьполевой
4 693 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCTH40N120G2V7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCTH60N120G2-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCTH60N120G2-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTH60N120G2-7 Полярностьполевой
6 793 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCTH60N120G2-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCTH70N120G2V-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCTH70N120G2V-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTH70N120G2V-7 Полярностьполевой
10 839 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCTH70N120G2V-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCTH90N65G2V-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 116А; Idm: 220А; 484Вт; H2PAK7
0.0
SCTH90N65G2V-7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора157нC КорпусH2PAK7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±3,2В
5 919 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCTH90N65G2V-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 116А; Idm: 220А; 484Вт; H2PAK7" 1.

SCTL35N65G2V, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCTL35N65G2V
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTL35N65G2V Полярностьполевой
3 888 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCTL35N65G2V, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SCTL90N65G2V, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SCTL90N65G2V
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTL90N65G2V Полярностьполевой
8 365 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SCTL90N65G2V, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SGT120R65AL, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 9А; Idm: 36А; 192Вт
0.0
SGT120R65AL
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3нC КорпусPowerFLAT 5x6
‍888‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SGT120R65AL, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 9А; Idm: 36А; 192Вт" 1.

SI1012CR-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A
0.0
SI1012CR-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC75A
‍42‍ ₽
Доступность: 2859 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1012CR-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A" 1.

SI1012R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A; ESD
0.0
SI1012R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC75A
‍48‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1012R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

SI1012X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC89,SOT563; ESD
0.0
SI1012X-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563
‍55‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1012X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC89,SOT563; ESD" 3.

SI1022R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A; ESD
0.0
SI1022R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC75A
‍82‍ ₽
Доступность: 3390 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1022R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A; ESD" 1.

SI1032R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт; SC75A
0.0
SI1032R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC75A
‍70‍ ₽
Доступность: 2858 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1032R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт; SC75A" 1.

SI1062X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 530мА; Idm: 2А
0.0
SI1062X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
‍47‍ ₽
Доступность: 4844 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1062X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 530мА; Idm: 2А" 1.

SI1302DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,6А; Idm: 1,5А; 0,18Вт; SC70
0.0
SI1302DL-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70 МонтажSMD
‍92‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1302DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,6А; Idm: 1,5А; 0,18Вт; SC70" 1.

SI1302DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,48А; 0,18Вт; SC70
0.0
SI1302DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,86нC КорпусSC70 МонтажSMD
‍84‍ ₽
Доступность: 3000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1302DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,48А; 0,18Вт; SC70" 1.

SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70; ESD
0.0
SI1308EDL-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSC70
‍73‍ ₽
Доступность: 1858 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70; ESD" 1.

SI1330EDL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,19А; 0,18Вт; SC70; ESD
0.0
SI1330EDL-T1-E3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,4нC КорпусSC70
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1330EDL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,19А; 0,18Вт; SC70; ESD" 1.

SI1424EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1424EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусSC70
‍70‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1424EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1428EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1428EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70
‍48‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1428EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD" 3.

SI1442DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 4А; Idm: 20А; 2,8Вт
0.0
SI1442DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
‍73‍ ₽
Доступность: 2740 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1442DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 4А; Idm: 20А; 2,8Вт" 1.

SI1902DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,66А; Idm: 1А; 0,14Вт; SC70
0.0
SI1902DL-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC КорпусSC70 МонтажSMD
‍82‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,66А; Idm: 1А; 0,14Вт; SC70" 1.

SI1922EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1922EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC70
‍109‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1922EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI2300DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,6А; Idm: 15А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2300DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍48‍ ₽
Доступность: 2641 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2300DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,6А; Idm: 15А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2302A-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт
0.0
SI2302A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍76‍ ₽
Доступность: 6604 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2302A-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт" 1.

SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23
0.0
SI2302CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍86‍ ₽
Доступность: 2035 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23" 1.

SI2302DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23
0.0
SI2302DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍59‍ ₽
Доступность: 3409 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2302DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23" 1.

SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2304BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍50‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23" 3.

SI2304DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2304DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍81‍ ₽
Доступность: 4442 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2304DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2306BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 0,8Вт; SOT23
0.0
SI2306BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍84‍ ₽
Доступность: 2012 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2306BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 0,8Вт; SOT23" 1.

SI2308BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,3А; Idm: 8А; 1,06Вт; SOT23
0.0
SI2308BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍105‍ ₽
Доступность: 261 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,3А; Idm: 8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23
0.0
SI2308BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍106‍ ₽
Доступность: 94 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

SI2308CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23
0.0
SI2308CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍64‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2308CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23" 1.

SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2312BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍73‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23" 3.

SI2312CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23
0.0
SI2312CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍93‍ ₽
Доступность: 340 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2312CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23" 1.

SI2316BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А
0.0
SI2316BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍98‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

SI2316BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А
0.0
SI2316BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍136‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

SI2316DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,3А; 0,45Вт; SOT23
0.0
SI2316DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍132‍ ₽
Доступность: 979 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2316DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,3А; 0,45Вт; SOT23" 1.

SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23
0.0
SI2318CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍79‍ ₽
Доступность: 4148 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23" 1.

SI2318DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт
0.0
SI2318DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍69‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт" 3.

SI2318DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2318DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍60‍ ₽
Доступность: 1939 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23" 3.

SI2324DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2324DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍65‍ ₽
Доступность: 11389 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2324DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2328DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,5А; Idm: 6А
0.0
SI2328DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍153‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,5А; Idm: 6А" 1.

SI2328DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,92А; 0,47Вт; SOT23
0.0
SI2328DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍136‍ ₽
Доступность: 2855 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,92А; 0,47Вт; SOT23" 1.

SI2336DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2336DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍58‍ ₽
Доступность: 894 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2336DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)