Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.77

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
IPC100N04S5L1R5
Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
158.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPC100N04S5L1R9
Вид каналаобогащенный Заряд затвора81нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
232.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPC100N04S5L2R6
Вид каналаобогащенный Заряд затвора55нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
124.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-2R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPC50N04S55R8
Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
169.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC50N04S5-5R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPC50N04S5L5R5
Вид каналаобогащенный Заряд затвора23нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
146.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC50N04S5L-5R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPC70N04S54R6
Вид каналаобогащенный Заряд затвора24,2нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
207.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC70N04S5-4R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPC70N04S5L4R2
Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
136.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC70N04S5L-4R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPC90N04S53R6
Вид каналаобогащенный Заряд затвора32,6нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
128.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5-3R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 63Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPC90N04S5L3R3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора40нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
145.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5L-3R3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 62Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPD025N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
322.53 
Доступность: 1603 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD025N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD031N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
140.71 
Доступность: 2863 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD031N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD031N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
338.34 
Доступность: 759 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD031N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD034N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
373.12 
Доступность: 794 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD034N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD038N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
300.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD038N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD040N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
199.21 
Доступность: 2643 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD040N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD050N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
132.02 
Доступность: 1611 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD050N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD060N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
111.46 
Доступность: 2463 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD060N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; 56Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD075N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
71.94 
Доступность: 2445 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD075N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD082N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
145.45 
Доступность: 2371 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD090N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
119.37 
Доступность: 2156 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD090N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD12CN10NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
300.40 
Доступность: 1766 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD135N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
79.05 
Доступность: 782 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD135N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD200N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
381.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; Idm: 200А; 150Вт" 1.

0.0
IPD30N08S222
Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
287.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD30N08S222ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж