Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
FDY300NZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,6А; 0,625Вт; SOT523
0.0
FDY300NZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC КорпусSOT523 МонтажSMD
‍69‍ ₽
Доступность: 1115 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FDY300NZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,6А; 0,625Вт; SOT523" 5.

FQB19N20CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,1А; Idm: 76А; 139Вт; D2PAK
0.0
FQB19N20CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍236‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQB19N20CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,1А; Idm: 76А; 139Вт; D2PAK" 1.

FQB19N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 13,3А; Idm: 84А; 140Вт; D2PAK
0.0
FQB19N20LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍272‍ ₽
Доступность: 670 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQB19N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 13,3А; Idm: 84А; 140Вт; D2PAK" 1.

FQB19N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,3А; Idm: 78А; 140Вт; D2PAK
0.0
FQB19N20TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍460‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQB19N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,3А; Idm: 78А; 140Вт; D2PAK" 1.

FQB33N10LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; Idm: 132А; 127Вт; D2PAK
0.0
FQB33N10LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍260‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQB33N10LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; Idm: 132А; 127Вт; D2PAK" 1.

FQB33N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK
0.0
FQB33N10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍216‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQB33N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK" 1.

FQB55N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK
0.0
FQB55N10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍355‍ ₽
Доступность: 258 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQB55N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK" 1.

FQB5N90TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,42А; 158Вт; D2PAK
0.0
FQB5N90TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍367‍ ₽
Доступность: 725 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQB5N90TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,42А; 158Вт; D2PAK" 1.

FQB7P20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; -4,6А; Idm: -29,2А; 90Вт; D2PAK
0.0
FQB7P20TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍292‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQB7P20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; -4,6А; Idm: -29,2А; 90Вт; D2PAK" 1.

FQB8N60CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 30А; 147Вт; D2PAK
0.0
FQB8N60CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍295‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQB8N60CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 30А; 147Вт; D2PAK" 1.

FQB8N90CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,8А; Idm: 25А; 171Вт; D2PAK
0.0
FQB8N90CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍436‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQB8N90CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,8А; Idm: 25А; 171Вт; D2PAK" 1.

FQD10N20CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5А; 50Вт; DPAK
0.0
FQD10N20CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍149‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD10N20CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5А; 50Вт; DPAK" 1.

FQD12N20LTM-F085, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 55Вт; DPAK
0.0
FQD12N20LTM-F085
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍168‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD12N20LTM-F085, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 55Вт; DPAK" 1.

FQD12N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; 55Вт; DPAK
0.0
FQD12N20LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍195‍ ₽
Доступность: 1411 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQD12N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; 55Вт; DPAK" 1.

FQD12N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 55Вт; DPAK
0.0
FQD12N20TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍146‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD12N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 55Вт; DPAK" 1.

FQD13N06LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7А; 28Вт; DPAK
0.0
FQD13N06LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍153‍ ₽
Доступность: 2095 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQD13N06LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7А; 28Вт; DPAK" 1.

FQD13N10LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,3А; 40Вт; DPAK
0.0
FQD13N10LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍148‍ ₽
Доступность: 1748 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQD13N10LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,3А; 40Вт; DPAK" 1.

FQD16N25CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 10,1А; 160Вт; DPAK
0.0
FQD16N25CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53,5нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍208‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD16N25CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 10,1А; 160Вт; DPAK" 1.

FQD17N08LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 8,2А; Idm: 51,6А; 40Вт; DPAK
0.0
FQD17N08LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍146‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD17N08LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 8,2А; Idm: 51,6А; 40Вт; DPAK" 1.

FQD18N20V2TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
0.0
FQD18N20V2TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍236‍ ₽
Доступность: 480 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQD18N20V2TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK" 1.

FQD19N10LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
0.0
FQD19N10LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍219‍ ₽
Доступность: 2109 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQD19N10LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK" 1.

FQD19N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,8А; Idm: 62,4А; 50Вт; DPAK
0.0
FQD19N10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍188‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD19N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,8А; Idm: 62,4А; 50Вт; DPAK" 1.

FQD1N60CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,6А; 28Вт; DPAK
0.0
FQD1N60CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
‍157‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD1N60CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,6А; 28Вт; DPAK" 1.

FQD2N60CTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,14А; Idm: 7,6А; 44Вт; DPAK
0.0
FQD2N60CTM-WS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍190‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD2N60CTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,14А; Idm: 7,6А; 44Вт; DPAK" 1.

FQD30N06TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 14,3А; Idm: 90,8А; 44Вт; DPAK
0.0
FQD30N06TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍108‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD30N06TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 14,3А; Idm: 90,8А; 44Вт; DPAK" 1.

FQD3N60CTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,5А; Idm: 9,6А; 50Вт; DPAK
0.0
FQD3N60CTM-WS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍156‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD3N60CTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,5А; Idm: 9,6А; 50Вт; DPAK" 1.

FQD4N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 1,95А; Idm: 12А; 30Вт; DPAK
0.0
FQD4N20TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍150‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD4N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 1,95А; Idm: 12А; 30Вт; DPAK" 1.

FQD4N25TM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,9А; Idm: 12А; 37Вт; DPAK
0.0
FQD4N25TM-WS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍143‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD4N25TM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,9А; Idm: 12А; 37Вт; DPAK" 1.

FQD5N15TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 2,72А; Idm: 17,2А; DPAK
0.0
FQD5N15TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍76‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD5N15TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 2,72А; Idm: 17,2А; DPAK" 3.

FQD5N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,4А; Idm: 15,2А; 37Вт; DPAK
0.0
FQD5N20LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍211‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD5N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,4А; Idm: 15,2А; 37Вт; DPAK" 1.

FQD6N25TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 2,6А; Idm: 17,6А; 45Вт; DPAK
0.0
FQD6N25TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍170‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD6N25TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 2,6А; Idm: 17,6А; 45Вт; DPAK" 1.

FQD6N40CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
0.0
FQD6N40CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍197‍ ₽
Доступность: 1460 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQD6N40CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK" 1.

FQD6N50CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,7А; Idm: 18А; 61Вт; DPAK
0.0
FQD6N50CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍185‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD6N50CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,7А; Idm: 18А; 61Вт; DPAK" 1.

FQD7N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,48А; Idm: 22А; 45Вт; DPAK
0.0
FQD7N20LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍158‍ ₽
Доступность: 2459 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQD7N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,48А; Idm: 22А; 45Вт; DPAK" 1.

FQD7N30TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 3,48А; Idm: 22А; 50Вт; DPAK
0.0
FQD7N30TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍190‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD7N30TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 3,48А; Idm: 22А; 50Вт; DPAK" 1.

FQD9N25TM-F080, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; DPAK
0.0
FQD9N25TM-F080
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍183‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQD9N25TM-F080, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; DPAK" 1.

FQT13N06LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,24А; Idm: 11,2А; 2,1Вт; SOT223
0.0
FQT13N06LTF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусSOT223 МонтажSMD
‍182‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQT13N06LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,24А; Idm: 11,2А; 2,1Вт; SOT223" 1.

FQT13N06TF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,24А; Idm: 11,2А; 2,1Вт; SOT223
0.0
FQT13N06TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSOT223 МонтажSMD
‍213‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQT13N06TF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,24А; Idm: 11,2А; 2,1Вт; SOT223" 1.

FQT1N60CTF-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,12А; 2,1Вт; SOT223
0.0
FQT1N60CTF-WS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSOT223 МонтажSMD
‍147‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQT1N60CTF-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,12А; 2,1Вт; SOT223" 1.

FQT4N20LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,68А; 2,2Вт; SOT223
0.0
FQT4N20LTF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT223 МонтажSMD
‍140‍ ₽
Доступность: 3268 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQT4N20LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,68А; 2,2Вт; SOT223" 1.

FQT4N25TF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,66А; Idm: 3,3А; 2,5Вт; SOT223
0.0
FQT4N25TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
‍184‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQT4N25TF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,66А; Idm: 3,3А; 2,5Вт; SOT223" 1.

FQT7N10LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,36А; 2Вт; SOT223
0.0
FQT7N10LTF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
‍156‍ ₽
Доступность: 4705 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FQT7N10LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,36А; 2Вт; SOT223" 1.

G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
0.0
G2R1000MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...20В
1 070 ₽
Доступность: 188 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт
0.0
G3R160MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 258 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
0.0
G3R30MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 990 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт
0.0
G3R350MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
‍747‍ ₽
Доступность: 728 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
0.0
G3R450MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 039 ₽
Доступность: 841 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

HUF75639S3ST, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK
0.0
HUF75639S3ST
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍513‍ ₽
Доступность: 756 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "HUF75639S3ST, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK" 1.

IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт
0.0
IAUA200N04S5N010
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
‍345‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт" 1.

IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт
0.0
IAUS165N08S5N029
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPG-HSOG-8 МонтажSMD
‍611‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт" 1.

IAUT300N08S5N012ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8
0.0
IAUT300N08S5N012
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
‍842‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IAUT300N08S5N012ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8" 1.

IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А
0.0
IGOT60R070D1AUMA1
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC КорпусPG-DSO-20
4 879 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А
0.0
IGT60R190D1SATMA1
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,2нC КорпусPG-HSOF-8-3
1 209 ₽
Доступность: 3 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А" 1.

IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB010N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
1 467 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB014N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍667‍ ₽
Доступность: 48 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB015N04LG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍562‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB015N04NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍883‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB015N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍896‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB017N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍640‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB017N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍825‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB017N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
1 036 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB019N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍513‍ ₽
Доступность: 939 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB024N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍587‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB025N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍829‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB025N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍951‍ ₽
Доступность: 376 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB026N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍384‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB027N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍681‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB029N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍396‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB030N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍705‍ ₽
Доступность: 997 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB031N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍553‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB031NE7N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
‍436‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB036N12N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
‍978‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB037N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB037N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍263‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB037N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB038N12N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
1 022 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB039N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB039N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍452‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB039N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB042N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB042N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍396‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB042N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB048N15N5LF
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
1 445 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB049N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍433‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB049NE7N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
‍314‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB054N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍312‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)