Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
IPL60R650P6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,7А; 56,8Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL60R650P6SATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍246‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL60R650P6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,7А; 56,8Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R070C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 28А; 169Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R070C7AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
1 757 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R070C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 28А; 169Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R099C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 21А; 128Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R099C7AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍935‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R099C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 21А; 128Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R190E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,2А; 151Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R190E6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍598‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R190E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,2А; 151Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R195C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12А; 75Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R195C7AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍501‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R195C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12А; 75Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R1K5C6SATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍226‍ ₽
Доступность: 6 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R210CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,6А; 151Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R210CFDAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍618‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R210CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,6А; 151Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R230C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; 67Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R230C7AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍441‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R230C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; 67Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R310E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,1А; 104Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R310E6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍458‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R310E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,1А; 104Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R340CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,9А; 104,2Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R340CFDAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍458‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R340CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,9А; 104,2Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R420E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,1А; 83Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R420E6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍387‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R420E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,1А; 83Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R460CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,3А; 83,3Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R460CFDAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍380‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R460CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,3А; 83,3Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R660E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; 63Вт; PG-VSON-4
0.0
IPL65R660E6AUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍277‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPL65R660E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; 63Вт; PG-VSON-4" 1.

IPN50R2K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,3А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN50R2K0CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍68‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN50R2K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,3А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN50R800CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN50R800CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,4нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍104‍ ₽
Доступность: 2896 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPN50R800CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN50R950CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍69‍ ₽
Доступность: 2799 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPN50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223" 3.

IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN60R2K1CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,7нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍115‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN60R600P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
‍151‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN70R1K0CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора15,2нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍290‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN70R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN70R1K5CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍109‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN70R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора11нC КорпусPG-SOT223
‍213‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R1K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусPG-SOT223
‍178‍ ₽
Доступность: 2847 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора8нC КорпусPG-SOT223
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R3K3P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223
‍132‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора4нC КорпусPG-SOT223
‍124‍ ₽
Доступность: 2068 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R600P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-SOT223
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R750P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора17нC КорпусPG-SOT223
‍244‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC КорпусPG-SOT223
‍263‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN95R3K7P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN95R3K7P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223
‍103‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN95R3K7P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPT004N03LATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300А; Idm: 1200А; 300Вт
0.0
IPT004N03LATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора53нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
‍857‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT004N03LATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300А; Idm: 1200А; 300Вт" 1.

IPT007N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт
0.0
IPT007N06NATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора216нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
‍975‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT007N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

IPT012N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 279А; Idm: 1200А; 375Вт
0.0
IPT012N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 862 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT012N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 279А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

IPT020N10N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт
0.0
IPT020N10N3ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора156нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 907 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT020N10N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт
0.0
IPT029N08N5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора70нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
‍786‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт" 1.

IPT059N15N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; Idm: 620А; 375Вт
0.0
IPT059N15N3ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора69нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 531 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT059N15N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; Idm: 620А; 375Вт" 1.

IPZ40N04S5-5R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8
0.0
IPZ40N04S55R4
Вид каналаобогащенный Заряд затвора23нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍198‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5-5R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

IPZ40N04S53R1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 71Вт; PG-TSDSON-8
0.0
IPZ40N04S53R1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍183‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S53R1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 71Вт; PG-TSDSON-8" 1.

IRF100S201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 690А; 441Вт; D2PAK
0.0
IRF100S201
Вид каналаобогащенный Заряд затвора255нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍616‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF100S201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 690А; 441Вт; D2PAK" 1.

IRF1010ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 59А; Idm: 330А; 200Вт; D2PAK
0.0
IRF1010ESTRLPBF
Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍265‍ ₽
Доступность: 279 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRF1010ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 59А; Idm: 330А; 200Вт; D2PAK" 1.

IRF1010NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 180Вт; D2PAK
0.0
IRF1010NSTRLPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍204‍ ₽
Доступность: 785 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRF1010NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 180Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 40 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)