ixys

IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт

0.0

КОД:

IXTN200N10L2

Вид каналаобогащенный Время готовности245нс Заряд затвора540нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 353.36 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт

0.0

КОД:

IXTN200N10T

Вид каналаобогащенный Время готовности76нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 526.48 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт" 1.

IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами

0.0

КОД:

IXTN210P10T

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 345.45 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами" 1.

IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А

0.0

КОД:

IXTN22N100L

Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

12 494.86 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А" 1.

IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт

0.0

КОД:

IXTN240N075L2

Вид каналаобогащенный Время готовности206нс Заряд затвора546нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 656.13 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А

0.0

КОД:

IXTN30N100L

Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

16 281.42 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А" 1.

IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт

0.0

КОД:

IXTN32P60P

Вид каналаобогащенный Время готовности480нс Заряд затвора196нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 193.68 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт

0.0

КОД:

IXTN40P50P

Вид каналаобогащенный Время готовности477нс Заряд затвора205нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 517.79 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт

0.0

КОД:

IXTN46N50L

Вид каналаобогащенный Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

12 494.86 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт

0.0

КОД:

IXTN550N055T2

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 008.70 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт

0.0

КОД:

IXTN600N04T2

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 328.06 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт

0.0

КОД:

IXTN60N50L2

Вид каналаобогащенный Время готовности980нс Заряд затвора610нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 996.05 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт

0.0

КОД:

IXTN62N50L

Вид каналаобогащенный Время готовности0,5мкс Заряд затвора550нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

11 799.21 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт" 1.

IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт

0.0

КОД:

IXTN80N30L2

Вид каналаобогащенный Время готовности485нс Заряд затвора660нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 743.08 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт

0.0

КОД:

IXTN90N25L2

Вид каналаобогащенный Время готовности266нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 353.36 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTP01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO220AB; 2нс

0.0

КОД:

IXTP01N100D

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности2нс Заряд затвора0,1мкC КорпусTO220AB

1 263.24 ₽

Доступность: 329 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO220AB; 2нс" 1.

IXTP02N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO220AB; 1,6мкс

0.0

КОД:

IXTP02N120P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,6мкс КорпусTO220AB МонтажTHT

343.08 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP02N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO220AB; 1,6мкс" 1.

IXTP02N50D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,2А; 25Вт; TO220AB; 5нс

0.0

КОД:

IXTP02N50D

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности5нс Заряд затвора0,12мкC КорпусTO220AB

852.17 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP02N50D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,2А; 25Вт; TO220AB; 5нс" 1.

IXTP05N100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,75А; 40Вт; TO220AB; 710нс

0.0

КОД:

IXTP05N100

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности710нс КорпусTO220AB МонтажTHT

501.19 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP05N100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,75А; 40Вт; TO220AB; 710нс" 1.

IXTP05N100M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,7А; 25Вт; TO220FP; 710нс

0.0

КОД:

IXTP05N100M

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности710нс КорпусTO220FP МонтажTHT

670.36 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP05N100M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,7А; 25Вт; TO220FP; 710нс" 1.

IXTP05N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,5А; 50Вт; TO220AB; 750нс

0.0

КОД:

IXTP05N100P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO220AB МонтажTHT

227.67 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP05N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,5А; 50Вт; TO220AB; 750нс" 1.

IXTP06N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,6А; 42Вт; TO220AB; 900нс

0.0

КОД:

IXTP06N120P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс КорпусTO220AB МонтажTHT

779.45 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP06N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,6А; 42Вт; TO220AB; 900нс" 1.

IXTP08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO220AB

0.0

КОД:

IXTP08N100D2

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Заряд затвора325нC КорпусTO220AB МонтажTHT

550.20 ₽

Доступность: 336 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO220AB" 1.

IXTP08N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 42Вт; TO220AB; 750нс

0.0

КОД:

IXTP08N100P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO220AB МонтажTHT

387.35 ₽

Доступность: 290 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP08N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 42Вт; TO220AB; 750нс" 1.

IXTP08N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,8А; 50Вт; TO220AB; 900нс

0.0

КОД:

IXTP08N120P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора14нC КорпусTO220AB

698.81 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP08N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,8А; 50Вт; TO220AB; 900нс" 1.

IXTP08N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс

0.0

КОД:

IXTP08N50D2

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности11нс Заряд затвора312нC КорпусTO220AB

475.89 ₽

Доступность: 264 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP08N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс" 1.

IXTP100N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; TO220AB; 34нс

0.0

КОД:

IXTP100N04T2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности34нс КорпусTO220AB МонтажTHT

433.20 ₽

Доступность: 267 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP100N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; TO220AB; 34нс" 1.

IXTP10N60P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; 200Вт; TO220AB; 500нс

0.0

КОД:

IXTP10N60P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности0,5мкс Заряд затвора32нC КорпусTO220AB

664.03 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP10N60P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; 200Вт; TO220AB; 500нс" 1.

IXTP10P15T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -150В; -10А; 83Вт; TO220AB

0.0

КОД:

IXTP10P15T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности120нс Заряд затвора36нC КорпусTO220AB

371.54 ₽

Доступность: 22 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP10P15T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -150В; -10А; 83Вт; TO220AB" 1.

IXTP10P50P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -500В; -10А; 300Вт; TO220AB

0.0

КОД:

IXTP10P50P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности414нс Заряд затвора50нC КорпусTO220AB

1 052.96 ₽

Доступность: 182 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP10P50P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -500В; -10А; 300Вт; TO220AB" 1.

IXTP110N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 180Вт; TO220AB; 38нс

0.0

КОД:

IXTP110N055T2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности38нс Заряд затвора57нC КорпусTO220AB

490.12 ₽

Доступность: 304 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP110N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 180Вт; TO220AB; 38нс" 1.

IXTP120N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 200Вт; TO220AB; 35нс

0.0

КОД:

IXTP120N04T2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности35нс Заряд затвора58нC КорпусTO220AB

360.47 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP120N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 200Вт; TO220AB; 35нс" 1.

IXTP120N075T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 120А; 250Вт; TO220AB; 50нс

0.0

КОД:

IXTP120N075T2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности50нс Заряд затвора78нC КорпусTO220AB

633.99 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP120N075T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 120А; 250Вт; TO220AB; 50нс" 1.

IXTP120P065T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -65В; -120А; 298Вт; 53нс

0.0

КОД:

IXTP120P065T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности53нс Заряд затвора185нC КорпусTO220AB

1 064.03 ₽

Доступность: 262 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP120P065T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -65В; -120А; 298Вт; 53нс" 1.

IXTP12N50P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 500В; 12А; 200Вт; TO220AB

0.0

КОД:

IXTP12N50P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности300нс Заряд затвора29нC КорпусTO220AB

512.25 ₽

Доступность: 294 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP12N50P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 500В; 12А; 200Вт; TO220AB" 1.

IXTP12N65X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB; 270нс

0.0

КОД:

IXTP12N65X2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности270нс КорпусTO220AB МонтажTHT

513.83 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP12N65X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB; 270нс" 1.

IXTP12N65X2M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12А; Idm: 24А; 40Вт; TO220FP

0.0

КОД:

IXTP12N65X2M

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора17,7нC КорпусTO220FP МонтажTHT

556.52 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP12N65X2M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12А; Idm: 24А; 40Вт; TO220FP" 1.

IXTP12N70X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB

0.0

КОД:

IXTP12N70X2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC КорпусTO220AB МонтажTHT

681.42 ₽

Доступность: 9 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP12N70X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB" 1.

IXTP12N70X2M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 12А; Idm: 24А; 40Вт; TO220FP

0.0

КОД:

IXTP12N70X2M

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC КорпусTO220FP МонтажTHT

823.72 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP12N70X2M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 12А; Idm: 24А; 40Вт; TO220FP" 1.

IXTP130N10T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 130А; 360Вт; TO220AB; 67нс

0.0

КОД:

IXTP130N10T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности67нс Заряд затвора104нC КорпусTO220AB

550.20 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTP130N10T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 130А; 360Вт; TO220AB; 67нс" 1.