Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
SISA14DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт
0.0
SISA14DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍94‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA14DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт" 1.

SISA18ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А
0.0
SISA18ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍97‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA18ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

SISA24DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 33Вт
0.0
SISA24DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍160‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA24DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 33Вт" 1.

SISA40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 129А; Idm: 150А
0.0
SISA40DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍151‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 129А; Idm: 150А" 1.

SISA72ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 74А; Idm: 150А
0.0
SISA72ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍152‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA72ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 74А; Idm: 150А" 1.

SISA72DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А
0.0
SISA72DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍129‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA72DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

SISA88DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32,4А; Idm: 100А
0.0
SISA88DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍98‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA88DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32,4А; Idm: 100А" 1.

SISA96DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А; 17Вт
0.0
SISA96DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍86‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISA96DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А; 17Вт" 1.

SISC06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А
0.0
SISC06DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍182‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISC06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

SISH106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 15,6А; Idm: 60А; 2Вт
0.0
SISH106DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍329‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 15,6А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

SISH108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 17,6А; Idm: 60А; 2Вт
0.0
SISH108DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 17,6А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

SISH110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16,9А; Idm: 60А; 2Вт
0.0
SISH110DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍268‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16,9А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

SISH112DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 14,2А; Idm: 60А; 2Вт
0.0
SISH112DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍261‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH112DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 14,2А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

SISH114ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 60А; 25Вт
0.0
SISH114ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍86‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH114ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 60А; 25Вт" 1.

SISH116DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 13,1А; Idm: 60А; 2Вт
0.0
SISH116DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍328‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH116DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 13,1А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

SISH402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт
0.0
SISH402DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍143‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

SISH410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт
0.0
SISH410DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍184‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

SISH434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 35А; Idm: 60А; 33Вт
0.0
SISH434DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍226‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

SISH472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт
0.0
SISH472DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍166‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт" 1.

SISH536DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 54А; Idm: 200А; 17Вт
0.0
SISH536DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍112‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH536DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 54А; Idm: 200А; 17Вт" 1.

SISH892BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16А; Idm: 40А
0.0
SISH892BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍164‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISH892BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16А; Idm: 40А" 1.

SISHA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт
0.0
SISHA04DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍149‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISHA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

SISHA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт
0.0
SISHA10DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍163‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISHA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт" 1.

SISHA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт
0.0
SISHA12ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍145‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISHA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт" 1.

SISHA14DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт
0.0
SISHA14DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍149‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISHA14DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт" 1.

SISS02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 80А; Idm: 300А; 42Вт
0.0
SISS02DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍261‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

SISS04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт
0.0
SISS04DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍272‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

SISS06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 138,1А; Idm: 300А
0.0
SISS06DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍194‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 138,1А; Idm: 300А" 1.

SISS08DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 156,4А; Idm: 300А
0.0
SISS08DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора82нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍217‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS08DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 156,4А; Idm: 300А" 1.

SISS10ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 86,8А; Idm: 150А
0.0
SISS10ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍211‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS10ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 86,8А; Idm: 150А" 1.

SISS10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 36Вт
0.0
SISS10DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍209‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

SISS12DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 200А; 42Вт
0.0
SISS12DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍234‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS12DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 200А; 42Вт" 1.

SISS22DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 72,5А; Idm: 150А
0.0
SISS22DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍323‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS22DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 72,5А; Idm: 150А" 1.

SISS22LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 74А; Idm: 150А; 42Вт
0.0
SISS22LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍228‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS22LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 74А; Idm: 150А; 42Вт" 1.

SISS26DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 36Вт
0.0
SISS26DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍329‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS26DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

SISS26LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 65А; Idm: 150А; 36Вт
0.0
SISS26LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍246‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS26LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 65А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

SISS28DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 36Вт
0.0
SISS28DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍224‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS28DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

SISS30ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А
0.0
SISS30ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍246‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS30ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

SISS30DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А
0.0
SISS30DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍221‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS30DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

SISS30LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 44А; Idm: 120А; 36Вт
0.0
SISS30LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍246‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS30LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 44А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

SISS32ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А
0.0
SISS32ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍217‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS32ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А" 1.

SISS32DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А
0.0
SISS32DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍248‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS32DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А" 1.

SISS32LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А
0.0
SISS32LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍251‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS32LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А" 1.

SISS40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 29А; Idm: 60А; 33Вт
0.0
SISS40DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍128‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 29А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

SISS42DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 32,4А; Idm: 80А
0.0
SISS42DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍321‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS42DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 32,4А; Idm: 80А" 1.

SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А
0.0
SISS42LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А" 1.

SISS46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 36,2А; Idm: 100А
0.0
SISS46DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍301‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

SISS50DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 86А; Idm: 300А; 42Вт
0.0
SISS50DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍181‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS50DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 86А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

SISS5108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 55,9А; Idm: 120А
0.0
SISS5108DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍216‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS5108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 55,9А; Idm: 120А" 6000.

SISS54DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 148,5А; Idm: 300А
0.0
SISS54DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍297‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS54DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 148,5А; Idm: 300А" 1.

SISS5808DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 66,6А; Idm: 150А
0.0
SISS5808DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍175‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS5808DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 66,6А; Idm: 150А" 6000.

SISS588DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 46,5А; Idm: 150А
0.0
SISS588DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍278‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS588DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 46,5А; Idm: 150А" 1.

SISS60DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 145,4А
0.0
SISS60DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍263‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS60DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 145,4А" 1.

SISS64DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А
0.0
SISS64DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍216‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS64DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

SISS66DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 142,6А
0.0
SISS66DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS66DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 142,6А" 1.

SISS70DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 125В; 24,8А; Idm: 50А
0.0
SISS70DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,3нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS70DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 125В; 24,8А; Idm: 50А" 1.

SISS72DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 20,4А; Idm: 50А
0.0
SISS72DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍226‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS72DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 20,4А; Idm: 50А" 1.

SISS76LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 54А; Idm: 120А; 36Вт
0.0
SISS76LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍168‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS76LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 54А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

SISS78LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 53,3А; Idm: 120А
0.0
SISS78LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍255‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS78LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 53,3А; Idm: 120А" 1.

SISS80DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А
0.0
SISS80DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍246‍ ₽
Доступность: 6000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SISS80DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А" 1.

SISS92DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 250В; 9,9А; Idm: 20А
0.0
SISS92DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍226‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS92DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 250В; 9,9А; Idm: 20А" 1.

SISS94DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 15,6А; Idm: 25А
0.0
SISS94DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍183‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS94DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 15,6А; Idm: 25А" 1.

SISS98DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 11,2А; Idm: 30А
0.0
SISS98DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍222‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISS98DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 11,2А; Idm: 30А" 1.

SIUD402ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 1А; Idm: 1,4А
0.0
SIUD402ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍53‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIUD402ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 1А; Idm: 1,4А" 1.

SIUD406ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500мА; Idm: 0,8А
0.0
SIUD406ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍24‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIUD406ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500мА; Idm: 0,8А" 3000.

SIUD412ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А
0.0
SIUD412ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,71нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
‍39‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIUD412ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А" 1.

SMMBF4393LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SMMBF4393LT1G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBF4393LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
‍132‍ ₽
Доступность: 2950 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SMMBF4393LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SMMBFJ309LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SMMBFJ309LT1G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ309LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
‍120‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SMMBFJ309LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SMMBFJ310LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SMMBFJ310LT1G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ310LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
‍120‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SMMBFJ310LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SN7002NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
0.0
SN7002NH6327XTSA2
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍41‍ ₽
Доступность: 9000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SN7002NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23" 1.

SN7002NH6433XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,16А; 0,36Вт; SOT23
0.0
SN7002NH6433XTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍36‍ ₽
Доступность: 4937 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SN7002NH6433XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,16А; 0,36Вт; SOT23" 1.

SN7002WH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323
0.0
SN7002WH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍34‍ ₽
Доступность: 2027 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SN7002WH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323" 1.

SPB17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB17N80C3
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
‍971‍ ₽
Доступность: 353 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SPB17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB20N60C3
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍650‍ ₽
Доступность: 785 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD50N03S207GBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍97‍ ₽
Доступность: 1411 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А
0.0
SQ1470AEH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
‍104‍ ₽
Доступность: 2895 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А" 1.

SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт
0.0
SQ2308CES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍117‍ ₽
Доступность: 1767 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт" 1.

SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2318AES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍113‍ ₽
Доступность: 2 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2362ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍121‍ ₽
Доступность: 490 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD
0.0
SQ2364EES-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSOT23
‍118‍ ₽
Доступность: 2855 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)