Товары из категории транзисторы, стр.87

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
IPC90N04S53R6
Вид каналаобогащенный Заряд затвора32,6нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
129.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5-3R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 63Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPC90N04S5L3R3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора40нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
147.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5L-3R3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 62Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
IPD025N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
326.40 
Доступность: 1593 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD025N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD031N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
142.40 
Доступность: 2835 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD031N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD031N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
342.40 
Доступность: 651 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD031N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD034N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
377.60 
Доступность: 728 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD034N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD038N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
304.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD038N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD040N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
201.60 
Доступность: 2623 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD040N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD050N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
133.60 
Доступность: 1601 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD050N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD060N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
112.80 
Доступность: 2421 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD060N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; 56Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD068P03L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
196.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD068P03L3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -70А; 100Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD075N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
72.80 
Доступность: 2431 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD075N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD082N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
147.20 
Доступность: 2365 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD090N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
120.80 
Доступность: 2144 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD090N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD12CN10NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
304.00 
Доступность: 1616 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD135N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
80.00 
Доступность: 782 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD135N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD200N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
385.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; Idm: 200А; 150Вт" 1.

0.0
IPD30N08S222
Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
291.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD30N08S222ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD350N06LGBTMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
202.40 
Доступность: 1925 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD350N06LGBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD50N06S4L12
Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
166.40 
Доступность: 1630 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD50N06S4L12ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт" 1.

0.0
IPD50P04P4L11ATMA2
Вид каналаобогащенный Заряд затвора14нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...5В
272.00 
Доступность: 2400 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD50P04P4L11ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А" 1.

0.0
IPD50R399CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
299.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R399CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD50R399CPBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
299.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R399CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD50R500CEAUMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18,7нC КорпусDPAK МонтажSMD
102.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R500CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 24А; 57Вт; DPAK" 1.

0.0
IPD50R520CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
248.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R520CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD50R520CPBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
248.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R520CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD50R950CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
125.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD60R170CFD7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
548.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R170CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 76Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD60R280CFD7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
459.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 51Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD60R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
328.00 
Доступность: 1875 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD60R280P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
184.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280P7S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD60R600P7ATMA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
196.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD60R600P7SAUMA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
137.60 
Доступность: 2211 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD60R650CEAUMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора20,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
113.60 
Доступность: 2177 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R650CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт" 1.

0.0
IPD65R1K4CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
136.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R1K4CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R250E6XTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
444.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R250E6XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R380C6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
273.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R380E6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
320.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R380E6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
273.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R420CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
288.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R420CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
288.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600C6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
211.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600E6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
211.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600E6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
211.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R660CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
358.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R660CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
220.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R950CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
270.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R950CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
158.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R1K4CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
156.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 53Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R1K4P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
119.20 
Доступность: 2477 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R2K0CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,8нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
125.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R2K0CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,6А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R360P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
142.40 
Доступность: 1478 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R900P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
46.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD78CN10NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
132.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD80R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
130.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R1K4CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
225.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD80R1K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
142.40 
Доступность: 2448 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
480.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R2K0P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
156.00 
Доступность: 1462 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
151.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
360.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R3K3P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
100.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
144.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
258.40 
Доступность: 2478 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD90N04S404
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
206.40 
Доступность: 2294 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А" 1.

0.0
IPD90N04S405ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
140.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А" 1.

0.0
IPD90R1K2C3ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
259.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD90R1K2C3BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
208.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD95R450P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC КорпусDPAK
451.20 
Доступность: 1327 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

0.0
IPDD60R050G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 153.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

0.0
IPDD60R080G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 108.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

0.0
IPDD60R102G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
817.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

0.0
IPDD60R125G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
628.80 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А" 1.

0.0
IPDD60R150G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
536.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А" 1.

0.0
IPDD60R190G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
480.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

0.0
IPG20N04S408
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
268.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

0.0
IPG20N04S409
Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
138.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

0.0
IPI020N06NAKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
641.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI020N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI024N06N3GXKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
377.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI024N06N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI029N06NAKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
401.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI029N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO262-3" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (44)
Хиты продаж