Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.6

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
RQ6L020SPTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
118.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6L020SPTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RQ6L035ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
193.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6L035ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -6,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RQ6P015SPTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
145.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6P015SPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RRF015P03TL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,2нC КорпусSOT323F
92.80 
Доступность: 2394 шт.
 

Минимальное количество для товара "RRF015P03TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; Idm: -6А; 0,8Вт; SOT323F" 1.

0.0
RRH050P03GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOP8
145.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRH050P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RRH090P03TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSOP8
228.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRH090P03TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RRH100P03GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусSOP8
183.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRH100P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RRH100P03TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусSOP8
252.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRH100P03TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RRH140P03GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусSOP8
444.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRH140P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RRL035P03FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT363
95.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRL035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363" 1.

0.0
RRL035P03TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT363
106.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRL035P03TR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363" 1.

0.0
RRQ030P03FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT457
48.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRQ030P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1,25Вт; SOT457" 3.

0.0
RRR030P03FRATL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT346
51.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRR030P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346" 3.

0.0
RRR030P03HZGTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT346
100.00 
Доступность: 2990 шт.
 

Минимальное количество для товара "RRR030P03HZGTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346; ESD" 1.

0.0
RRR040P03FRATL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусSOT346
145.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRR040P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT346" 1.

0.0
RRS100P03HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусSOP8
356.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRS100P03HZGTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RS3E075ATTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOP8 МонтажSMD
100.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
RSC002P03T316
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
39.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSC002P03T316, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,25А; 200мВт" 1.

0.0
RSF010P05TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
101.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF010P05TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -1А; Idm: -4А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RSJ151P10TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусD2PAK МонтажSMD
270.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ151P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; Idm: -30А; 50Вт; D2PAK" 1.

0.0
RSJ250P10FRATL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTO263
312.00 
Доступность: 97 шт.
 

Минимальное количество для товара "RSJ250P10FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263" 1.

0.0
RSJ250P10TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусD2PAK МонтажSMD
499.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ250P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; D2PAK" 1.

0.0
RSM002P03T2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
50.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSM002P03T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

0.0
RSQ015P10FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
145.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015P10FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RSQ015P10HZGTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
154.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015P10HZGTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RSQ025P03FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
48.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ025P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RSQ035P03FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
59.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RSR015P06FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
54.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR015P06FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RSR015P06HZGTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
152.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR015P06HZGTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RSR025P03FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,4нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
49.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR025P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RSS060P05FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSOP8 МонтажSMD
132.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSS060P05FRATB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
RSU002P03T106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
47.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSU002P03T106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

0.0
RTL020P02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
104.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTL020P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TUMT6" 1.

0.0
RTQ025P02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
48.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTQ025P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RTQ035P02FHATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
146.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTQ035P02FHATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RTR020P02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
49.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR020P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RTR025P02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
52.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR025P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RTR030P02FHATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,3нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
133.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR030P02FHATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RU1C001ZPTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
30.40 
Доступность: 55 шт.
 

Минимальное количество для товара "RU1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

0.0
RU1C002ZPTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT323F МонтажSMD
32.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1C002ZPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

0.0
RU1E002SPTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
36.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 200мВт" 1.

0.0
RV1C001ZPT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
45.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C001ZPT2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт" 1.

0.0
RV2C014BCT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
71.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C014BCT2CL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт" 1.

0.0
RZF013P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
82.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF013P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт" 1.

0.0
RZF020P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
120.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RZF030P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
90.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RZM001P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
29.60 
Доступность: 1218 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
RZM002P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
32.00 
Доступность: 4130 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
SCH1332TLW-ONS
Обозначение производителяSCH1332-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET
29.60 
Доступность: 4638 шт.
 

Минимальное количество для товара "SCH1332-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 424.

0.0
SI1013CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC89 МонтажSMD
47.20 
Доступность: 915 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А" 1.

0.0
SI1013R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
64.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

0.0
SI1021R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC75A
95.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

0.0
SI1025X-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC89, SOT563
96.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

0.0
SI1031R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
91.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

0.0
SI1077X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
72.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

0.0
SI1317DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70 МонтажSMD
90.40 
Доступность: 1450 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70" 1.

0.0
SI1401EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSC70
89.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI1403CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
44.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6" 3.

0.0
SI1411DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
90.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6" 1.

0.0
SI1427EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSC70
67.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI1443EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSC70
84.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI2301A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
76.00 
Доступность: 1137 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2301A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2301BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
76.00 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2301CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
74.40 
Доступность: 2775 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2303CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
92.80 
Доступность: 927 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2305B-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
52.80 
Доступность: 5198 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2305CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
77.60 
Доступность: 881 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А" 1.

0.0
SI2305CDS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
21.60 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305CDS, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А" 1.

0.0
SI2307-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
68.00 
Доступность: 2558 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт" 1.

0.0
SI2307BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
138.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2307CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
105.60 
Доступность: 3880 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2309CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
101.60 
Доступность: 11335 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2315BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
83.20 
Доступность: 14 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2315BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
120.80 
Доступность: 2240 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2319CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
121.60 
Доступность: 3315 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2319DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
92.00 
Доступность: 391 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А" 1.

0.0
SI2319DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
171.20 
Доступность: 570 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А" 1.

0.0
SI2319DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
120.00 
Доступность: 1928 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А" 1.

0.0
SI2323CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
91.20 
Доступность: 1657 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2323DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
109.60 
Доступность: 1398 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2323DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
68.80 
Доступность: 205 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 3.

0.0
SI2323DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
157.60 
Доступность: 63 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2325DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
226.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт" 1.

0.0
SI2325DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
235.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2329DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
110.40 
Доступность: 2535 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2329DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2333-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT23 МонтажSMD
36.80 
Доступность: 20744 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,1Вт" 1.

0.0
SI2333CDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
103.20 
Доступность: 1259 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI2333CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
123.20 
Доступность: 3180 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,7А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2333DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSOT23 МонтажSMD
96.80 
Доступность: 2084 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2333DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
136.00 
Доступность: 2324 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI2333DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
138.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI2337DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
157.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2337DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -2,2А; Idm: -7А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2337DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
195.20 
Доступность: 1786 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2337DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,75А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2343CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSOT23 МонтажSMD
104.00 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2343CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,9А; Idm: -25А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2343DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSOT23 МонтажSMD
129.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2343DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А" 1.

0.0
SI2347DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
61.60 
Доступность: 1529 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2347DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2365EDS-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23 МонтажSMD
61.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2365EDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,9А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI2365EDS-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23
56.80 
Доступность: 77 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2365EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2367DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
96.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2367DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2369BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
86.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2369BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI2369DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23 МонтажSMD
80.80 
Доступность: 239 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2371EDS-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSOT23
65.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2371EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2377EDS-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,6нC КорпусSOT23
102.40 
Доступность: 1502 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2377EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23; ESD" 1.

0.0
SI2387DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
80.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А" 1.

0.0
SI2393DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
80.80 
Доступность: 3490 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2393DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI2399DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
72.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2399DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI3127DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
89.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3127DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI3401A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
57.60 
Доступность: 3080 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3401A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,2А; Idm: -30А; 1,3Вт" 1.

0.0
SI3407DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
62.40 
Доступность: 2631 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

0.0
SI3417DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
100.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3417DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI3421DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
108.80 
Доступность: 1807 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI3433CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
77.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI3437DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
149.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3437DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,4А; Idm: -5А" 1.

0.0
SI3443BDV-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
52.00 
Доступность: 1196 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3443BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; 1,3Вт; TSOP6" 3.

0.0
SI3443CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,53нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
75.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; 2,05Вт; TSOP6" 1.

0.0
SI3443DDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
69.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1,7Вт; TSOP6" 1.

0.0
SI3457CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
117.60 
Доступность: 962 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3457CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6" 1.

0.0
SI3459BDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
92.80 
Доступность: 248 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

0.0
SI3473CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
133.60 
Доступность: 2940 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3473CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI3483CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
94.40 
Доступность: 856 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

0.0
SI3493DDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
38.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А" 1.

0.0
SI3499DV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
155.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

0.0
SI4401BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
238.40 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,3А; 2,9Вт; SO8" 1.

0.0
SI4401BDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
315.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

0.0
SI4401DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусSO8 МонтажSMD
172.00 
Доступность: 2092 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8" 1.

0.0
SI4401FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусSO8 МонтажSMD
155.20 
Доступность: 1964 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А" 1.

0.0
SI4403CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусSO8 МонтажSMD
120.00 
Доступность: 2097 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А" 1.

0.0
SI4403DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусSO8 МонтажSMD
78.40 
Доступность: 1705 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12,3А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4425DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
117.60 
Доступность: 1389 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4425DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,7А; 3,6Вт; SO8" 1.

0.0
SI4425FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусSO8 МонтажSMD
136.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18,3А; Idm: -70А" 1.

0.0
SI4431BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
198.40 
Доступность: 296 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4431BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А; 0,9Вт; SO8" 1.

0.0
SI4431CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
142.40 
Доступность: 1827 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DDY
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
80.80 
Доступность: 1090 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,5А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
143.20 
Доступность: 767 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9,1А; Idm: -50А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DY
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD
220.00 
Доступность: 1573 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DY, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DYTRPBF
Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
150.40 
Доступность: 2438 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DYTRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSO8 МонтажSMD
77.60 
Доступность: 1421 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А" 1.

0.0
SI4447ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
121.60 
Доступность: 339 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4447ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -7,2А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI4447DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
138.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

0.0
SI4455DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
276.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4455DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8" 1.

0.0
SI4459ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусSO8 МонтажSMD
369.60 
Доступность: 2548 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4459ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -23,5А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4463BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSO8 МонтажSMD
163.20 
Доступность: 760 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11,1А; 3Вт; SO8" 1.

0.0
SI4463CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC КорпусSO8 МонтажSMD
184.80 
Доступность: 63 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А" 1.

0.0
SI4483ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
180.80 
Доступность: 1682 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4483ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,4А; 3,8Вт; SO8" 1.

0.0
SI4497DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусSO8 МонтажSMD
345.60 
Доступность: 2393 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4497DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -29А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4825DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусSO8 МонтажSMD
188.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4825DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -14,9А; Idm: -60А" 1.

0.0
SI4835DDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD
239.20 
Доступность: 2493 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,7А; 5,6Вт; SO8" 1.

0.0
SI4835DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD
116.00 
Доступность: 584 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; Idm: -50А; 3,6Вт; SO8" 5.

0.0
SI4948BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
217.60 
Доступность: 2144 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8" 1.

0.0
SI5419DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

0.0
SI5457DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
78.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5457DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI5618-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
72.00 
Доступность: 527 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт" 1.

0.0
SI5618A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
73.60 
Доступность: 1677 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт" 1.

0.0
SI7101DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
236.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

0.0
SI7113DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
259.20 
Доступность: 737 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт" 1.

0.0
SI7115DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
334.40 
Доступность: 1843 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7115DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт" 1.

0.0
SI7119DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
204.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт" 1.

0.0
SI7121ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
129.60 
Доступность: 1864 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7121ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А; 17,8Вт" 1.

0.0
SI7145DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора413нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
332.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7145DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -100А" 1.

0.0
SI7149ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,1нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
136.80 
Доступность: 3536 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7149ADP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 31Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Показать еще 160 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж