Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
IPB054N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB054N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍304‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB054N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB055N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB055N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍154‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB055N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB057N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB057N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍301‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB057N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB067N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍350‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB072N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍976‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB073N15N5
Вид каналаобогащенный Заряд затвора49нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍786‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB081N06L3G
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍190‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB083N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍267‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB083N15N5LF
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
1 306 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB090N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍312‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт
0.0
IPB100N04S303
Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍329‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт" 1.

IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB100N06S205
Вид каналаобогащенный Заряд затвора130нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍390‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB100N06S2L05
Вид каналаобогащенный Заряд затвора170нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍747‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB107N20N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 611 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB107N20NAATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 277 ₽
Доступность: 820 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB108N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍603‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB110N20N3LF
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 995 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB117N20NFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 065 ₽
Доступность: 984 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт
0.0
IPB120N06S402
Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍497‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт" 1.

IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB123N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍309‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт
0.0
IPB180N04S4H0
Вид каналаобогащенный Заряд затвора173нC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍494‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт" 1.

IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB200N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
‍411‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB200N25N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
1 533 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB320N20N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
‍604‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB407N30NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток300В
1 112 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R199CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍508‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R250CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍455‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R299CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍419‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB530N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍205‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB600N25N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
‍562‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK
0.0
IPB60R060P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍803‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK" 1.

IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK
0.0
IPB60R080P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍684‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK" 1.

IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R099C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
1 070 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK
0.0
IPB60R099C7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора42нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍856‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK" 1.

IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2
0.0
IPB60R099CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
1 090 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2" 1.

IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK
0.0
IPB60R099P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора45нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍535‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK" 1.

IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK
0.0
IPB60R120P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍467‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK" 1.

IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R160C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍776‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R165CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
1 076 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
0.0
IPB60R180C7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍353‍ ₽
Доступность: 936 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK" 1.

IPB60R180P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 72Вт; D2PAK
0.0
IPB60R180P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора25нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍340‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R180P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 72Вт; D2PAK" 1.

IPB60R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R199CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍582‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R280C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R280C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍380‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R280C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; D2PAK
0.0
IPB60R280P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍390‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; D2PAK" 1.

IPB60R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 96Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R299CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍492‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 96Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; D2PAK
0.0
IPB60R360P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора13нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍270‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; D2PAK" 1.

IPB60R385CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R385CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍390‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R385CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R045C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 46А; 227Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R045C7ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
3 630 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R045C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 46А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R065C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; 171Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R065C7ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
2 202 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R065C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; 171Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 38А; 278Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R099C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
1 463 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 38А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R110CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R110CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
1 401 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R110CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R150CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 22,4А; 195,3Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R150CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍684‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R150CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 22,4А; 195,3Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; 72Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R190C7ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍618‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; 72Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R190CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R190CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍610‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R190CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R280E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R280E6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍472‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R280E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R310CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R310CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍416‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R310CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R380C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R380C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍336‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R380C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 310Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R420CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍328‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 310Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB80N04S2H4ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB80N04S2H4
Вид каналаобогащенный Заряд затвора103нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍492‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB80N04S2H4ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB80N06S2L07ATMA3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB80N06S2L07
Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍460‍ ₽
Доступность: 681 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB80N06S2L07ATMA3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB90R340C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9,5А; 208Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB90R340C3ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
‍720‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB90R340C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9,5А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

IPC100N04S5-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S51R9
Вид каналаобогащенный Заряд затвора65нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍143‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5-2R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S52R8
Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍204‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-2R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-1R1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S5L1R1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,14мкC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
‍251‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-1R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S5L1R5
Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
‍170‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S5L1R9
Вид каналаобогащенный Заряд затвора81нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
‍250‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-2R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S5L2R6
Вид каналаобогащенный Заряд затвора55нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
‍133‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-2R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC50N04S5-5R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC50N04S55R8
Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍182‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC50N04S5-5R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC50N04S5L-5R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC50N04S5L5R5
Вид каналаобогащенный Заряд затвора23нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
‍157‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC50N04S5L-5R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC70N04S5-4R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC70N04S54R6
Вид каналаобогащенный Заряд затвора24,2нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍222‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC70N04S5-4R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC70N04S5L-4R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC70N04S5L4R2
Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
‍147‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC70N04S5L-4R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC90N04S5-3R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 63Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC90N04S53R6
Вид каналаобогащенный Заряд затвора32,6нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5-3R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 63Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC90N04S5L-3R3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 62Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC90N04S5L3R3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора40нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
‍156‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5L-3R3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 62Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPD025N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD025N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍346‍ ₽
Доступность: 1629 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD025N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD031N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD031N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍151‍ ₽
Доступность: 2896 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD031N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD031N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD031N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍363‍ ₽
Доступность: 864 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD031N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD034N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD034N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍401‍ ₽
Доступность: 804 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD034N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD038N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD038N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍323‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD038N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD040N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD040N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍214‍ ₽
Доступность: 2678 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD040N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD050N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD050N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍142‍ ₽
Доступность: 1631 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD050N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)